| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-17页 |
| ·集成电路可靠性研究的意义 | 第10-12页 |
| ·NBTI 效应已经成为影响集成电路可靠性的关键因素. | 第12页 |
| ·NBTI 效应的研究现状. | 第12-15页 |
| ·NBTI 效应的退化机理及影响因素 | 第13页 |
| ·NBTI 效应的寿命模型 | 第13-14页 |
| ·NBTI 效应对数字电路和模拟电路的影响 | 第14-15页 |
| ·本论文的主要研究工作 | 第15-17页 |
| 第二章 PMOSFET 的动态NBTI 效应研究 | 第17-32页 |
| ·实验方案与实施 | 第17-21页 |
| ·实验样品 | 第17-18页 |
| ·实验装置和实验方案 | 第18-21页 |
| ·动态NBTI 效应实验 | 第21-24页 |
| ·DNBTI 的动态恢复机制. | 第24-26页 |
| ·DNBTI 效应与频率、占空比、栅电场等的关系 | 第26-31页 |
| ·DNBTI 效应与频率的关系 | 第26-28页 |
| ·DNBTI 效应与占空比的关系 | 第28-29页 |
| ·DNBTI 效应与应力中断期间栅电场的关系 | 第29-30页 |
| ·DNBTI 效应与栅长的关系 | 第30-31页 |
| ·本章小结 | 第31-32页 |
| 第三章PMOSFET 的动态NBTI 效应模型 | 第32-39页 |
| ·动态NBTI 效应模型. | 第32-34页 |
| ·反应-扩散模型（R-D model） | 第32-34页 |
| ·动态NBTI 效应模型 | 第34页 |
| ·模型验证 | 第34-38页 |
| ·占空比c 与阈值电压漂移ΔVth 的关系 | 第35-36页 |
| ·静态NBTI 效应的经验模型. | 第36-37页 |
| ·动态NBTI 效应模型验证. | 第37-38页 |
| ·本章小结 | 第38-39页 |
| 第四章 NBTI 效应对数字电路性能的影响 | 第39-51页 |
| ·基于Hspice 的电路级NBTI 效应的仿真 | 第39-41页 |
| ·NBTI 效应对CMOS 反相器的影响 | 第41-45页 |
| ·CMOS 反相器中的退化模式. | 第41-43页 |
| ·电路退化的NBTI 模型. | 第43-45页 |
| ·NBTI 效应对基本逻辑单元的影响. | 第45-48页 |
| ·NBTI 效应对环形振荡器的影响 | 第48-50页 |
| ·本章小结 | 第50-51页 |
| 结论与展望 | 第51-53页 |
| 参考文献 | 第53-57页 |
| 攻读硕士期间发表的学术论文 | 第57-58页 |
| 致谢 | 第58页 |