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IGBT的分析与设计

摘要第1-5页
Abstract第5-9页
第1章 绪论第9-19页
   ·课题背景第9页
   ·国内外研究现状第9-18页
     ·IGBT发展背景第10-11页
     ·IGBT应用概况第11-12页
     ·新结构高性能IGBT第12-16页
     ·国内研究现状第16-18页
   ·课题目的和意义第18页
   ·论文主要工作第18-19页
第2章 IGBT的基础理论第19-30页
   ·IGBT结构和工作原理第19-20页
   ·IGBT工作特性第20-27页
     ·静态特性第21-25页
     ·动态特性第25-27页
   ·IGBT闩锁效应第27-29页
   ·本章小结第29-30页
第3章 IGBT结构设计第30-40页
   ·元胞结构设计第30-32页
     ·有源区结构第30页
     ·栅极结构第30-31页
     ·纵向结构第31-32页
   ·器件参数设计第32-39页
     ·n~-基区参数设计第33-35页
     ·p阱参数设计第35-36页
     ·n缓冲层参数设计第36-37页
     ·p~+集电区参数设计第37-39页
   ·本章小结第39-40页
第4章 IGBT工艺模拟第40-49页
   ·工艺模拟软件第40页
   ·工艺流程设计第40-41页
   ·工艺模拟第41-48页
   ·本章小结第48-49页
第5章 IGBT器件仿真第49-58页
   ·器件仿真软件第49-52页
     ·基本方程第49-50页
     ·器件物理模型第50-51页
     ·数值算法第51-52页
   ·静态特性仿真结果第52-54页
   ·击穿特性仿真结果第54-55页
   ·开关特性仿真结果第55-57页
   ·本章小结第57-58页
结论第58-59页
参考文献第59-65页
致谢第65页

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