槽栅倒掺杂MOSFET的研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-7页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-20页 |
| ·前言 | 第9-10页 |
| ·器件特征尺寸缩小所面临的困难和挑战 | 第10-13页 |
| ·物理极限的挑战 | 第10-12页 |
| ·工艺技术的挑战 | 第12-13页 |
| ·经济因素的制约 | 第13页 |
| ·纳米MOSFET器件的实现途径 | 第13-18页 |
| ·控制栅工程 | 第14页 |
| ·沟道和衬底工程 | 第14-15页 |
| ·新型器件结构 | 第15-18页 |
| ·本文主要工作 | 第18-20页 |
| 第二章 槽栅倒掺杂MOSFET的性能仿真 | 第20-38页 |
| ·槽栅MOSFET的特点 | 第20-21页 |
| ·器件参数对槽栅MOSFET性能的影响 | 第21-36页 |
| ·凹槽拐角对槽栅MOSFET的影响 | 第21-24页 |
| ·沟道长度对槽栅MOSFET的影响 | 第24-29页 |
| ·沟道掺杂对槽栅MOSFET的影响 | 第29-36页 |
| ·槽栅MOSFET存在的问题及改进 | 第36-37页 |
| ·本章小结 | 第37-38页 |
| 第三章 倒掺杂沟道MOSFET的电荷解析模型分析 | 第38-52页 |
| ·超陡峭突变型沟道倒掺杂MOSFET | 第39-44页 |
| ·电荷层模型 | 第40-42页 |
| ·结果与分析 | 第42-44页 |
| ·线性缓变型沟道倒掺杂MOSFET | 第44-50页 |
| ·阈值电压模型 | 第45-47页 |
| ·结果与分析 | 第47-50页 |
| ·本章小结 | 第50-52页 |
| 第四章 槽栅倒掺杂MOSFET的寄生电阻分析 | 第52-65页 |
| ·源漏寄生电阻对MOS器件性能的影响 | 第52-54页 |
| ·源漏寄生串联电阻模型 | 第54-60页 |
| ·积累层电阻 | 第56-57页 |
| ·扩展电阻 | 第57-58页 |
| ·薄层电阻 | 第58-59页 |
| ·接触电阻 | 第59-60页 |
| ·槽栅倒掺杂MOSFET的源漏寄生串联电阻 | 第60-64页 |
| ·源漏寄生电阻的计算 | 第60-61页 |
| ·结果与分析 | 第61-64页 |
| ·本章小结 | 第64-65页 |
| 第五章 总结 | 第65-67页 |
| 参考文献 | 第67-72页 |
| 致谢 | 第72-73页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第73-74页 |
