| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-8页 |
| 第一章 半导体器件数值仿真软件MEDICI | 第8-17页 |
| ·MEDICI 功能简介 | 第8页 |
| ·MEDICI 的基本物理描述 | 第8-10页 |
| ·基本方程 | 第8-9页 |
| ·三种基本的复合方式 | 第9-10页 |
| ·其它物理描述 | 第10页 |
| ·MEDICI 主要特性 | 第10-11页 |
| ·MEDICI 语法概览 | 第11-12页 |
| ·MEDICI 编程中的关键 | 第12-17页 |
| ·网格描述 | 第12-15页 |
| ·模型取舍 | 第15-16页 |
| ·求解方法和特殊技巧概述 | 第16-17页 |
| 第二章 SOI 高压技术 | 第17-30页 |
| ·SOI 技术概况 | 第17-25页 |
| ·SOI 材料制备技术 | 第18-20页 |
| ·SOI 高压器件研究现状及发展方向 | 第20-25页 |
| ·RESURF 技术和ENDIF 理论 | 第25-30页 |
| ·RESURF 技术 | 第25-27页 |
| ·ENDIF 理论 | 第27-30页 |
| 第三章 复合埋层SOI 新结构及其特性分析 | 第30-48页 |
| ·复合埋层SOI 新结构 | 第30-32页 |
| ·复合埋层SOI 器件耐压特性分析 | 第32-40页 |
| ·复合埋层SOI 器件耐压与窗口位置（L）的关系 | 第33-34页 |
| ·复合埋层SOI 器件耐压与窗口大小（W）的关系 | 第34-35页 |
| ·复合埋层SOI 器件耐压与漂移区掺杂浓度（Nd）的关系 | 第35-36页 |
| ·复合埋层SOI 器件耐压与多晶硅埋层掺杂(Npoly)及厚度(Tpoly)的关系 | 第36-39页 |
| ·复合埋层SOI 器件耐压与埋氧厚度（Tox1、Tox2）的关系 | 第39-40页 |
| ·复合埋层SOI 背栅效应分析 | 第40-46页 |
| ·复合埋层SOI 热特性分析 | 第46-48页 |
| 第四章 复合埋层SOI 制备技术 | 第48-61页 |
| ·复合埋层SOI 材料制备 | 第48-54页 |
| ·复合埋层SOI 材料制备流程设计 | 第48-51页 |
| ·复合埋层SOI 材料制备版图设计 | 第51-52页 |
| ·复合埋层SOI 材料制备测试结果 | 第52-54页 |
| ·复合埋层SOI LDMOS 器件的研制 | 第54-61页 |
| ·复合埋层SOI LDMOS 器件的研制工艺流程仿真 | 第54-58页 |
| ·复合埋层SOI LDMOS 器件版图设计 | 第58-60页 |
| ·复合埋层高压SOI 器件耐压测试 | 第60-61页 |
| 第五章 结论 | 第61-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-67页 |
