| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 引言 | 第6-7页 |
| 第一章 器件物理现象 | 第7-19页 |
| ·栅压引起的载流子迁移率下降 | 第7-8页 |
| ·沟道长度调制效应 | 第8-9页 |
| ·漏压引起的载流子速率饱和 | 第9-10页 |
| ·窄宽效应 | 第10-13页 |
| ·短沟道效应 | 第13-14页 |
| ·穿通效应 | 第14页 |
| ·反短沟道效应 | 第14-16页 |
| ·漏导致势垒降低效应 | 第16页 |
| ·栅耗尽层效应 | 第16-17页 |
| ·栅导致漏电流效应 | 第17-18页 |
| ·亚阈值漏电流 | 第18-19页 |
| 第二章 EKV模型的物理描述 | 第19-31页 |
| ·开启电压的定义 | 第19-20页 |
| ·强反型条件下的反型层电子和夹端电压 | 第20-28页 |
| ·工作模式 | 第20-21页 |
| ·器件的电性模型 | 第21-25页 |
| ·强反型条件下的反型层电荷模式 | 第21-24页 |
| ·弱反条件下的反型层电荷模型 | 第24-25页 |
| ·电流的表达式 | 第25-28页 |
| ·强反条件下的电流计算公式 | 第26页 |
| ·弱反条件下的电流计算公式 | 第26-27页 |
| ·全区域条件下的电流计算公式 | 第27-28页 |
| ·小尺寸效应 | 第28-29页 |
| ·载流子速率退化 | 第28页 |
| ·载流子速率饱和 | 第28页 |
| ·沟道长度调制效应 | 第28-29页 |
| ·反短沟道效应 | 第29页 |
| ·器件尺寸缩小后的物理描述 | 第29-31页 |
| 第三章 器件物理参数提取 | 第31-51页 |
| ·EKV物理模型的提取流程 | 第31-32页 |
| ·EKV直流特性物理参数 | 第31页 |
| ·EKV物理模型的提取流程 | 第31-32页 |
| ·栅氧厚度COX和源漏结深XJ | 第32页 |
| ·DW和DL的求取 | 第32-35页 |
| ·阈值电压的提取 | 第32-33页 |
| ·DL的求取 | 第33-35页 |
| ·DW的求取 | 第35页 |
| ·长宽长沟大尺寸器件 | 第35-40页 |
| ·长宽长沟器件指定电流Isp | 第35-37页 |
| ·VP与VG的关系式求取VTO,PHI和GAMMA | 第37-39页 |
| ·KP和THETA的求取 | 第39-40页 |
| ·长宽短沟器件 | 第40-47页 |
| ·长宽短沟器件指定电流Isp | 第40-41页 |
| ·VP-VG的关系曲线求取LETA,QO和LK | 第41-43页 |
| ·反短沟道效应下的阈值电压 | 第41-43页 |
| ·LETA的拟合 | 第43页 |
| ·通过输出曲线拟合UCRIT和LAMBDA | 第43-47页 |
| ·短宽长沟器件 | 第47-49页 |
| ·短宽长沟器件指定电流Isp | 第47-48页 |
| ·VP-VG的关系式导出WETA | 第48-49页 |
| ·输出曲线拟合 | 第49页 |
| ·短宽短沟器件 | 第49-51页 |
| 第四章 参数修正 | 第51-56页 |
| ·KP的修正 | 第51页 |
| ·饱和电压的修正 | 第51-53页 |
| ·反窄沟道效应的修正 | 第53-54页 |
| ·器件的ID-VG曲线 | 第54-56页 |
| 第五章 结论 | 第56-57页 |
| 附录:引用文献 | 第57-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |