| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| 第一章 绪言 | 第9-16页 |
| §1.1 半导体器件的发展历史 | 第9-10页 |
| §1.2 热载流子效应的重要性 | 第10-14页 |
| §1.3 本论文的主要工作 | 第14-16页 |
| 第二章 MOS器件的热载流子效应 | 第16-22页 |
| §2.1 热载流子效应的主要种类 | 第16-18页 |
| §2.1.1 衬底热载流子效应 | 第16-17页 |
| §2.1.2 沟道热载流子效应 | 第17-18页 |
| §2.2 MOS器件中的热载流子效应 | 第18-22页 |
| 第三章 DMGMOS FET热载流子效应的物理模型 | 第22-40页 |
| §3.1 引言 | 第22-23页 |
| §3.2 DMGMOS结构 | 第23-25页 |
| §3.3 模拟基本方程 | 第25-33页 |
| §3.3.1 二维电势模型 | 第25-31页 |
| §3.3.2 二维电场模型 | 第31-33页 |
| §3.4 漏感应势垒降低效应(DIBL) | 第33-34页 |
| §3.5 热载流子效应引起器件失效的物理模型 | 第34-40页 |
| 第四章 DMGMOS FET与SMGMOS FET热载流子性能的比较 | 第40-56页 |
| §4.1 热载流子退化特性比较 | 第41-45页 |
| §4.2 温度特性比较 | 第45-52页 |
| §4.2.1 常规MOS热载流子退化的温度特性 | 第45-46页 |
| §4.2.2 温度特性模拟 | 第46-52页 |
| §4.3 DMGMOS FET结构优化 | 第52-56页 |
| 第五章 总结与展望 | 第56-58页 |
| 参考文献 | 第58-63页 |
| 攻读学位期间发表的论文 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |