| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-5页 |
| 目录 | 第5-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-16页 |
| §1.1 MOSFET器件的发展进程 | 第7-8页 |
| §1.2 MOSFET器件发展中的问题 | 第8-12页 |
| §1.2.1 工艺方面的问题 | 第9-10页 |
| §1.2.2 基础理论方面的问题 | 第10-12页 |
| §1.3 MOSFET器件的研究现状 | 第12-14页 |
| §1.4 本论文的主要工作 | 第14-16页 |
| 第二章 仿真工具及SMDWG MOSFET器件结构和工艺实现 | 第16-27页 |
| §2.1 仿真工具简介 | 第16-20页 |
| §2.1.1 Suprem工艺仿真工具 | 第17-18页 |
| §2.1.2 Medici器件仿真工具 | 第18-20页 |
| §2.2 SMDWG MOSFET器件结构与模型模拟参数 | 第20-23页 |
| §2.2.1 SMDWG MOSFET器件结构 | 第20-21页 |
| §2.2.2 SMDWG MOSFET模拟模型与参数 | 第21-23页 |
| §2.3 SMDWG MOSFET器件工艺实现 | 第23-26页 |
| §2.3.1 SMDWG MOSFET器件工艺流程 | 第23-24页 |
| §2.3.2 SMDWG MOSFET器件工艺模拟 | 第24-26页 |
| §2.4 小结 | 第26-27页 |
| 第三章 SMDWG MOSFET器件直流特性的数值模拟 | 第27-42页 |
| §3.1 SMDWG MOSFET基本的直流特性 | 第27-32页 |
| §3.1.1 SMDWG MOSFET器件电势与电场分布 | 第27-31页 |
| §3.1.2 SMDWG MOSFET器件载流子速度分布 | 第31-32页 |
| §3.2 SMDWG MOSFET转移特性模拟 | 第32-37页 |
| §3.2.1 Lg对SMDWG MOSFET转移特性的影响 | 第32-34页 |
| §3.2.2 Tox对SMDWG MOSFET转移特性的影响 | 第34-35页 |
| §3.2.3 沟道掺杂浓度对SMDWG MOSFET转移特性的影响 | 第35-37页 |
| §3.3 SMDWG MOSFET输出特性模拟 | 第37-40页 |
| §3.3.1 Lg对SMDWG MOSFET输出特性的影响 | 第37-38页 |
| §3.3.2 Tox对SMDWG MOSFET输出特性的影响 | 第38-39页 |
| §3.3.3 沟道掺杂浓度对SMDWG MOSFET输出特性的影响 | 第39-40页 |
| §3.4 小结 | 第40-42页 |
| 第四章 SMDWG MOSFET器件交流特性的数值模拟 | 第42-53页 |
| §4.1 SMDWG MOSFET器件交流特性的分析方法 | 第42-44页 |
| §4.2 SMDWG MOSFET器件电容特性 | 第44-48页 |
| §4.2.1 Lg对SMDWG MOSFET器件电容特性的影响 | 第46-47页 |
| §4.2.2 Tox对SMDWG MOSFET器件电容特性的影响 | 第47页 |
| §4.2.3 沟道掺杂浓度对SMDWG MOSFET器件电容特性的影响 | 第47-48页 |
| §4.3 SMDWG MOSFET器件跨导 | 第48-51页 |
| §4.3.1 Lg对SMDWG MOSFET器件跨导特性的影响 | 第49-50页 |
| §4.3.2 Tox对SMDWG MOSFET器件跨导特性的影响 | 第50-51页 |
| §4.3.3 沟道掺杂浓度对SMDWG MOSFET器件跨导特性的影响 | 第51页 |
| §4.4 小结 | 第51-53页 |
| 第五章 总结 | 第53-55页 |
| 参考文献 | 第55-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第59-60页 |
