功率VDMOS器件失效分析与可靠性研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-11页 |
| 第1章 绪论 | 第11-16页 |
| ·课题背景 | 第11-13页 |
| ·电子器件可靠性研究现状 | 第13-15页 |
| ·课题研究目的意义 | 第15页 |
| ·课题来源及主要研究内容 | 第15-16页 |
| 第2章 热分析及实验设计 | 第16-27页 |
| ·热分析概述 | 第16-17页 |
| ·稳态与瞬态热分析理论 | 第16页 |
| ·热应力分析理论 | 第16-17页 |
| ·ANSYS 热仿真软件介绍 | 第17-18页 |
| ·ANSYS 技术特点 | 第17页 |
| ·ANSYS 分析基本过程 | 第17-18页 |
| ·功率VDMOS 器件简介 | 第18-21页 |
| ·功率VDMOS 器件的结构特点 | 第18-19页 |
| ·VDMOS 器件的工作原理 | 第19页 |
| ·功率VDMOS 器件主要技术特点 | 第19-21页 |
| ·失效判据及失效分析程序 | 第21页 |
| ·试验方案 | 第21-25页 |
| ·试验样品 | 第21-22页 |
| ·测试仪器 | 第22页 |
| ·高温循环试验 | 第22-23页 |
| ·高低温循环试验 | 第23-24页 |
| ·功率循环试验 | 第24-25页 |
| ·芯片的提取 | 第25-26页 |
| ·芯片提取的方法 | 第25-26页 |
| ·试验步骤 | 第26页 |
| ·本章小结 | 第26-27页 |
| 第3章 热循环对器件电特性的影响 | 第27-45页 |
| ·高温循环对器件电特性的影响 | 第27-33页 |
| ·高温循环对VDS-ID 特性的影响 | 第27-31页 |
| ·高温循环对击穿电压的影响 | 第31-32页 |
| ·高温循环对开关特性的影响 | 第32-33页 |
| ·高低温循环对器件击穿电压的影响 | 第33-35页 |
| ·软击穿现象 | 第33-34页 |
| ·击穿蠕变 | 第34-35页 |
| ·功率循环对器件VDS-ID 特性的影响 | 第35-44页 |
| ·IRF730 器件电性能与形貌 | 第35-37页 |
| ·IRF840 器件电性能与形貌 | 第37-40页 |
| ·SW730 器件电性能与形貌 | 第40-42页 |
| ·SW840 器件电性能与形貌 | 第42-44页 |
| ·本章小结 | 第44-45页 |
| 第4章 热循环对器件外壳的影响 | 第45-54页 |
| ·高温循环对器件外壳的影响 | 第45-48页 |
| ·高温循环对IRF840 器件外壳的影响 | 第45-46页 |
| ·高温循环对SW730 器件外壳的影响 | 第46-48页 |
| ·功率循环对器件外壳的影响 | 第48-51页 |
| ·功率循环对IRF730 器件外壳的影响 | 第48-49页 |
| ·功率循环对IRF840 器件外壳的影响 | 第49-51页 |
| ·器件外壳对性能的影响 | 第51-53页 |
| ·塑封体对器件性能的影响 | 第51-52页 |
| ·引线框架变化对器件性能的影响 | 第52-53页 |
| ·本章小结 | 第53-54页 |
| 第5章 功率VDMOS 器件可靠性模拟 | 第54-65页 |
| ·器件模型建立 | 第54-56页 |
| ·高温循环模拟 | 第56-59页 |
| ·加载及求解 | 第57页 |
| ·结果分析 | 第57-59页 |
| ·功率循环模拟 | 第59-63页 |
| ·器件模型及模拟条件 | 第59-61页 |
| ·模拟步骤 | 第61页 |
| ·结果分析 | 第61-63页 |
| ·本章小结 | 第63-65页 |
| 结论 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-70页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第70-71页 |
| 致谢 | 第71页 |
