| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-8页 |
| 第一章 引言 | 第8-12页 |
| ·课题研究背景 | 第8-9页 |
| ·课题的价值及意义 | 第9-10页 |
| ·课题的国内外研究现状 | 第10-11页 |
| ·课题主要研究内容 | 第11-12页 |
| 第二章 SOI 技术介绍 | 第12-20页 |
| ·SOI 技术的特点 | 第12-14页 |
| ·SOI 材料制备技术 | 第14-17页 |
| ·SOI 横向高压器件耐压技术介绍 | 第17-20页 |
| 第三章 具有N 型埋层SOI 高压器件新结构及耐压机理 | 第20-42页 |
| ·常规N 型厚膜SOI LDMOS 的耐压与隔离问题分析 | 第20-27页 |
| ·厚膜P 型SOI LDMOS 的耐压与隔离问题分析 | 第27-31页 |
| ·基于自隔离技术的具有N 型埋层SOI LDMOS 的耐压与隔离问题 | 第31-33页 |
| ·埋N 岛厚膜SOI LDMOS 解决隔离与耐压问题 | 第33-37页 |
| ·埋层N 厚膜SOI LDMOS 解决隔离与耐压问题 | 第37-42页 |
| 第四章 图形化N 型埋层SOI 器件参数对耐压的影响 | 第42-54页 |
| ·N 岛浓度对击穿电压的影响 | 第42-45页 |
| ·N 岛位置对击穿电压的影响 | 第45-47页 |
| ·N 岛长度对击穿电压的影响 | 第47-49页 |
| ·N 岛间距对击穿电压的影响 | 第49页 |
| ·源区下方有无N 岛对击穿电压的影响 | 第49-51页 |
| ·N 岛结深对击穿电压的影响 | 第51-52页 |
| ·本章小结 | 第52-54页 |
| 第五章 图形化N 型埋层SOI 器件的工艺制备 | 第54-63页 |
| ·埋N 岛SOI 材料制备 | 第54-58页 |
| ·埋N 岛SOI LDMOS 的器件制备 | 第58-59页 |
| ·埋N 岛SOI LDMOS 的掩膜版设计 | 第59-61页 |
| ·样品及耐压测试结果 | 第61-63页 |
| 第六章 器件工艺仿真软件Tsuprem4 介绍 | 第63-69页 |
| 第七章 结语 | 第69-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-73页 |
