| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-21页 |
| ·LDMOS 的概述 | 第11-12页 |
| ·LDMOS 的特点 | 第11-12页 |
| ·LDMOS 的研究现状 | 第12页 |
| ·LDMOS 器件的新结构和新技术 | 第12页 |
| ·LDMOS 表面势模型研究进展 | 第12-20页 |
| ·研究意义和工作 | 第20-21页 |
| 第二章 RESURF PN DIODE 的击穿电压和表面势模型 | 第21-37页 |
| ·RESURF 结构原理 | 第21-23页 |
| ·几种结构的RESURF PN Diode 的电压模型 | 第23-33页 |
| ·BS RESURF PN Diode 的击穿电压模型 | 第23-28页 |
| ·SOI RESURF PN Diode 的表面势模型 | 第28-33页 |
| ·计算结果和讨论 | 第33-36页 |
| ·本章小结 | 第36-37页 |
| 第三章 S-RESURF LDMOS 的表面势和表面电场模型 | 第37-52页 |
| ·S-RESURF 原理 | 第37-38页 |
| ·几种结构的S-RESURF LDMOS 的表面势和表面电场模型 | 第38-46页 |
| ·无场极板的BS S-RESURF LDMOS 的表面势模型 | 第38-40页 |
| ·有场极板的BS S-RESURF LEDMOS 的表面势模型 | 第40-42页 |
| ·无场极板的SOI S-RESURF LDMOS 的表面势模型 | 第42-44页 |
| ·有场极板的SOI S-RESURF LDMOS 的表面势模型 | 第44-46页 |
| ·计算结果和讨论 | 第46-50页 |
| ·本章小结 | 第50-52页 |
| 第四章 D-RESURF LDMOS 的表面势和表面电场模型 | 第52-69页 |
| ·D-RESURF 原理 | 第52-53页 |
| ·几种结构的D-RESURF LDMOS 的表面势和表面电场模型 | 第53-65页 |
| ·无场极板的BS D-RESURF LDMOS 的表面势模型 | 第53-56页 |
| ·有场极板的BS D-RESURF LDMOS 的表面势模型 | 第56-60页 |
| ·无场极板的SOI D-RESURF LDMOS 的表面势模型 | 第60-62页 |
| ·有场极板的BS M-RESURF LDMOS 的表面势模型 | 第62-65页 |
| ·计算结果和讨论 | 第65-68页 |
| ·本章小结 | 第68-69页 |
| 结论 | 第69-71页 |
| 参考文献 | 第71-79页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第79-80页 |
| 致谢 | 第80页 |
