简化小尺寸MOS晶体管SPICE模型关键参数的研究

摘要	第1-4页
Abstract	第4-5页
目录	第5-6页
第1章 绪论	第6-13页
·前言	第6-7页
·MOSFET工艺的进展	第7-9页
·仿真程序中的器件模型	第9-10页
·模型复杂原因	第10-11页
·本文主要工作	第11-13页
第2章 SPICE程序中的MOS晶体管模型	第13-25页
·SPICE程序中MOSFET模型的进展	第13-16页
·MOSFET的三级模型	第16-24页
·阈值电压的半经验公式	第16-17页
·MOSFET的沟道电流	第17-19页
·饱和电压公式	第19-20页
·沟道长度调制效应	第20-21页
·表面电场对迁移率的影响	第21-23页
·MOS晶体管的弱反型导电	第23-24页
·本章小结	第24-25页
第3章 MOSFET直流模型关键参数的研究	第25-42页
·小尺寸MOS晶体管MOS3直流模型的适用性分析	第25-36页
·微米MOS晶体管MOS3模型适用性研究	第25-29页
·亚微米MOS晶体管MOS3模型适用性研究	第29-32页
·深亚微米MOS晶体管MOS3模型适用性研究	第32-36页
·小尺寸MOS晶体管直流模型关键参数的确定	第36-38页
·MOSFET直流模型关键参数的改进	第38-41页
·模型关键参数的修正	第38-40页
·改进后MOSFET直流模型的验证	第40-41页
·本章小结	第41-42页
第4章 总结	第42-43页
附录	第43-47页
参考文献	第47-49页
致谢	第49-50页
攻读学位期间发表的学术论文	第50页