新型介质场增强SOI高压器件研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-28页 |
| ·SOI 技术的发展 | 第10-11页 |
| ·SOI 技术的优点与不足 | 第11-14页 |
| ·SOI 高压器件的研究现状 | 第14-16页 |
| ·横向耐压技术 | 第15页 |
| ·纵向耐压技术 | 第15-16页 |
| ·二维数值仿真软件MEDICI 概述 | 第16-26页 |
| ·MEDICI 功能简介 | 第16-17页 |
| ·MEDICI 的基本物理描述 | 第17-26页 |
| ·本文的研究内容 | 第26-28页 |
| 第二章 新型PTSOI 高压器件研究 | 第28-60页 |
| ·介质增强法则 | 第28-32页 |
| ·半导体器件击穿机理 | 第28-29页 |
| ·介质增强法则 | 第29-32页 |
| ·PTSOI 器件结构及耐压机理 | 第32-37页 |
| ·PTSOI 器件结构 | 第32-33页 |
| ·PTSOI 耐压机理 | 第33-37页 |
| ·PTSOI 器件击穿特性研究 | 第37-50页 |
| ·漂移区浓度与击穿电压的关系 | 第39-43页 |
| ·窗口长度Lw 与击穿电压的关系 | 第43-45页 |
| ·顶层硅厚度tS 与击穿电压的关系 | 第45-47页 |
| ·槽高H、槽宽D、槽间距W 与击穿电压的关系 | 第47-50页 |
| ·PTSOI 器件温度特性研究 | 第50-53页 |
| ·PTSOI 器件散热机理 | 第50-51页 |
| ·PTSOI 温度特性研究 | 第51-53页 |
| ·PTSOI 高压器件的制备 | 第53-59页 |
| ·PTSOI 材料的制备 | 第53-56页 |
| ·PTSOI 器件的制备 | 第56-59页 |
| ·本章小结 | 第59-60页 |
| 第三章 低k 型SOI 器件研究 | 第60-78页 |
| ·低k 型SOI 器件耐压机理 | 第60-64页 |
| ·低k 型SOI 器件结构 | 第60-61页 |
| ·低k 型SOI 耐压机理 | 第61-64页 |
| ·PSOI 器件击穿特性研究 | 第64-71页 |
| ·窗口长度Lw 与击穿电压的关系 | 第65-68页 |
| ·埋层厚度tI 与击穿电压的关系 | 第68-70页 |
| ·相对介电系数k 与击穿电压的关系 | 第70-71页 |
| ·变kSOI 器件击穿特性研究 | 第71-75页 |
| ·低k 埋层长度Lw 与击穿电压的关系 | 第72-73页 |
| ·低k 埋层厚度tI 与击穿电压的关系 | 第73-74页 |
| ·相对介电系数k 与击穿电压的关系 | 第74-75页 |
| ·低kPSOI 与变kSOI 器件热特性研究 | 第75-76页 |
| ·本章小结 | 第76-78页 |
| 第四章 结论 | 第78-80页 |
| 致谢 | 第80-81页 |
| 参考文献 | 第81-83页 |
