MOSFET并联射频C类放大器
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-13页 |
| ·课题背景及意义 | 第9-10页 |
| ·并联均流问题的提出 | 第10-11页 |
| ·国内外研究现状 | 第11页 |
| ·本课题的总体工作 | 第11-13页 |
| 第2章 射频功率放大电器的原理和特性 | 第13-35页 |
| ·C类功率放大器的基本工作原理 | 第13-23页 |
| ·电流、电压波形 | 第14-17页 |
| ·高频谐振功率放大器折线近似分析法 | 第17-20页 |
| ·C类放大器的动态特性 | 第20-23页 |
| ·并联谐振回路的基本特性 | 第23-27页 |
| ·品质因数的物理意义 | 第27-28页 |
| ·C类功率放大电路设计 | 第28-33页 |
| ·MOSFET的选取及其性能参数介绍 | 第29-30页 |
| ·C类功率放大电路设计 | 第30-33页 |
| ·系统的设计要求及其原理框图 | 第33-35页 |
| 第3章 功率器件MOSFET原理 | 第35-49页 |
| ·功率MOSFET的结构 | 第35-36页 |
| ·MOSFET的基本特性 | 第36-40页 |
| ·静态特性 | 第36-38页 |
| ·动态特性 | 第38-40页 |
| ·并联分流特性及存在的问题 | 第40-43页 |
| ·MOSFET并联分流问题的提出 | 第40-41页 |
| ·功率MOSFET的稳态均流特性 | 第41-42页 |
| ·功率MOSFET的暂态均流特性 | 第42-43页 |
| ·改善均流的方法和仿真结果的分析 | 第43-49页 |
| ·改善并联MOSFET均流的方法 | 第43-44页 |
| ·双管并联仿真结果的分析 | 第44-49页 |
| 第4章 驱动电路的设计 | 第49-57页 |
| ·正弦波信号发生电路 | 第49-52页 |
| ·MAX038芯片介绍 | 第49-51页 |
| ·正弦波发生电路 | 第51-52页 |
| ·信号驱动放大部分的设计 | 第52-55页 |
| ·驱动电源的设计 | 第55-56页 |
| ·小结 | 第56-57页 |
| 第5章 仿真结果与系统调试 | 第57-65页 |
| ·C类状态下并联均流仿真结果 | 第57-62页 |
| ·系统电路的调试 | 第62-64页 |
| ·驱动电路的调试 | 第62-63页 |
| ·主电路的调试 | 第63-64页 |
| ·小结 | 第64-65页 |
| 第6章 结论与展望 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-68页 |
| 个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69页 |
