| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-11页 |
| 第1章 绪论 | 第11-25页 |
| ·研究意义 | 第11-13页 |
| ·功率UMOSFET发展现状 | 第13-23页 |
| ·本文的主要研究内容 | 第23-25页 |
| 第2章 基于SiGe、SiGeC功率UMOSFET器件的特性研究 | 第25-43页 |
| ·应变Si/SiGe沟道功率UMOSFET | 第25-32页 |
| ·UMOSFET器件模型 | 第25-27页 |
| ·模拟与分析 | 第27-32页 |
| ·Si-UMOSFET与Si/SiGe-UMOSFET模拟分析 | 第27-28页 |
| ·SiGe区域在UMOSFET器件中的横向优化 | 第28-32页 |
| ·基于SiGeC为功率UMOSFET沟道材料的特性研究 | 第32-41页 |
| ·器件参数与几何结构 | 第33-34页 |
| ·Si_(1-x-y)Ge_xC_y模型 | 第34-37页 |
| ·B元素在Si_(1-x-y)Ge_xC_y的扩散模型 | 第36-37页 |
| ·C元素对B元素瞬态扩散的抑制 | 第37页 |
| ·仿真结构与讨论 | 第37-41页 |
| ·本章小结 | 第41-43页 |
| 第3章 基于SiGe的半超结功率UMOSFET的特性研究 | 第43-56页 |
| ·引言 | 第43-44页 |
| ·结构与模型分析 | 第44-47页 |
| ·结构分析 | 第44-46页 |
| ·SiGe材料模型分析 | 第46-47页 |
| ·仿真结果与分析 | 第47-55页 |
| ·击穿特性分析 | 第47-49页 |
| ·导通特性分析 | 第49-50页 |
| ·电荷平衡分析 | 第50-52页 |
| ·SiGe柱中Ge含量分析 | 第52-53页 |
| ·热稳定性分析 | 第53-55页 |
| ·本章小结 | 第55-56页 |
| 第4章 栅增强功率UMOSFET器件的特性研究 | 第56-74页 |
| ·超低导通电阻的栅增强功率UMOSFET(GE-UMOS)器件的特性研究 | 第56-65页 |
| ·器件结构与工作原理 | 第56-57页 |
| ·仿真结果与讨论 | 第57-65页 |
| ·具有分裂栅的栅增强功率UMOSFET器件(SGE-UMOS)的特性研究 | 第65-72页 |
| ·器件结构与工作原理 | 第66页 |
| ·仿真结果与讨论 | 第66-72页 |
| ·本章小结 | 第72-74页 |
| 结论 | 第74-76页 |
| 参考文献 | 第76-86页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文和取得的科研成果 | 第86-87页 |
| 致谢 | 第87页 |
