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基于二氧化铪的高介电常数薄膜的制备与研究

摘要第1-6页
ABSTRACT第6-11页
第1章 文献综述第11-23页
   ·引言第11-14页
     ·MOSFET 的简介第12-13页
     ·MOSFET 等比例缩小规则第13-14页
   ·SiO_2作为栅介质的局限性第14-15页
     ·MOSFET 按等比例缩小带来的问题第14页
     ·硼扩散和穿透第14-15页
   ·高K 栅介质材料第15-19页
     ·等效氧化物厚度的概念第15-16页
     ·高介电常数栅介质材料的要求第16-18页
     ·高k 栅介质的研究进展第18-19页
   ·HfO_2的性质与应用第19-21页
     ·HfO_2的性质第19-20页
     ·HfO_2作为高K 栅材料的优势第20页
     ·HfO_2国内外研究现状第20-21页
   ·本论文的研究内容及意义第21-22页
   ·本章小结第22-23页
第2章 薄膜的制备原理和表征技术第23-36页
   ·薄膜制备工艺及原理第23-28页
     ·直流反应磁控溅射制备薄膜技术第23-24页
       ·直流反应磁控溅射的原理第23-24页
       ·直流反应磁控溅射特点及其影响因素第24页
     ·直流反应磁控溅射系统第24-26页
     ·激光脉冲沉积制备薄膜技术第26-27页
       ·激光脉冲沉积原理第26-27页
       ·脉冲激光沉积特点及其影响因素第27页
     ·脉冲激光沉积系统第27-28页
   ·热蒸发系统第28-29页
   ·薄膜的表征技术第29-35页
     ·薄膜的晶体结构测试第29-30页
     ·薄膜表面形貌第30-32页
     ·薄膜的电学性能测试理论第32-35页
       ·HfO_2薄膜的介电特性第32-34页
       ·栅介质漏电流机制第34-35页
   ·本章小结第35-36页
第3章 Hf0_2薄膜的制备及性能研究第36-50页
   ·HfO_2薄膜的制备第36-38页
   ·不同氧流量对薄膜性能的影响第38-41页
     ·晶体结构第38页
     ·电学性能第38-41页
       ·不同氧气流量下HfO_2薄膜的J~V 特性第38-41页
       ·不同氧气流量下HfO_2薄膜的C~V 特性第41页
   ·衬底温度对HfO_2薄膜性能的影响第41-45页
     ·晶体结构第41-42页
     ·微观结构第42-43页
     ·电学性能第43-45页
       ·不同衬底温度的HfO_2薄膜的J~V 特性第43-45页
       ·不同衬底温度下HfO_2薄膜的C~V 特性第45页
   ·金属膜后退火温度对HfO_2薄膜性能的影响第45-49页
     ·晶体结构第45-46页
     ·微观结构第46-47页
     ·电学性能第47-49页
       ·金属膜后退火HfO_2薄膜的J~V 特性第47-49页
       ·金属膜后退火HfO_2薄膜的C~V 特性第49页
   ·本章小结第49-50页
第4章 Hf_(1-x)Zr_xO 薄膜的制备及性能研究第50-57页
   ·Hf_(1-x)Zr_xO 薄膜的制备第50-51页
   ·晶体结构第51-53页
   ·微观结构第53-54页
   ·电学性能第54-56页
     ·Hf_(1-x)Zr_xO 薄膜的J~V 特性第54-56页
     ·Hf_(1-x)Zr_xO 薄膜的C~V 特性第56页
   ·本章小结第56-57页
第5章 Hf_(1-x)Al_xO 薄膜的制备及性能研究第57-64页
   ·Hf_(1-x)Al_xO 薄膜的制备第57-58页
   ·晶体结构第58-59页
   ·微观结构第59-60页
   ·电学性能第60-63页
     ·Hf_(1-x)Al_xO 薄膜的J~V 特性第60-62页
     ·Hf_(1-x)Al_xO 薄膜的C~V 特性第62-63页
   ·本章小结第63-64页
第6章 Hf_(1-x)Si_xO 薄膜的制备及性能分析第64-71页
   ·Hf_(1-x)Si_xO 薄膜的制备第64-65页
   ·晶体结构第65-66页
   ·微观结构第66-67页
   ·电学性能第67-70页
     ·Hf_(1-x)Si_xO 薄膜的J~V 特性第67-70页
     ·Hf_(1-x)Si_xO 薄膜的C~V 特性第70页
   ·本章小结第70-71页
第7章 总结第71-72页
致谢第72-73页
参考文献第73-79页
附录第79页

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