| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-12页 |
| ·背景介绍 | 第8页 |
| ·常规掺杂浓度测量技术 | 第8-9页 |
| ·本论文 | 第9-10页 |
| ·论文结构 | 第10-11页 |
| 参考文献 | 第11-12页 |
| 第二章 p-n结和肖特基结的微分电容 | 第12-22页 |
| ·p-n结微分电容 | 第12-15页 |
| ·热平衡状态 | 第12-13页 |
| ·电势与总电势差 | 第13-14页 |
| ·反向偏置 | 第14页 |
| ·结电容 | 第14-15页 |
| ·C-V法测量p-n结掺杂浓度分布 | 第15-19页 |
| ·C-V法测量p-n结掺杂浓度分布 | 第16-19页 |
| ·常规C-V法测量p-n结掺杂浓度分布 | 第19页 |
| ·肖特基结的微分电容及C-V法测其掺杂浓度分布 | 第19-21页 |
| 参考文献 | 第21-22页 |
| 第三章 双边法提取掺杂浓度分布-解析计算 | 第22-34页 |
| ·解析法求解任意掺杂的p-n结的C-V_R关系 | 第22-23页 |
| ·在解析解的基础上提取掺杂浓度 | 第23页 |
| ·在解析法计算的p-n结C-V_R关系的基础上求解掺杂浓度 | 第23-32页 |
| ·n区均匀掺杂的p~+-n结 | 第23-27页 |
| ·n区阶梯状掺杂的p~+-n结 | 第27-32页 |
| 参考文献 | 第32-34页 |
| 第四章 双边法提取掺杂浓度分布-Medici仿真 | 第34-47页 |
| ·边法—n区均匀掺杂 | 第34-38页 |
| ·边法—n区阶梯状掺杂 | 第38-44页 |
| ·实验和测试 | 第44-46页 |
| 参考文献 | 第46-47页 |
| 第五章 提取SPE铝掺杂的超浅p~+-n结的少数载流子寿命和表面复合速度 | 第47-53页 |
| ·集电极和基极电流面的面电流密度的提取 | 第47-50页 |
| ·提取面电流密度式的推导 | 第47-48页 |
| ·对I_C和I_B的面电流密度的提取 | 第48-50页 |
| ·Tsuprem4工艺仿真和Medici器件仿真 | 第50-52页 |
| 参考文献 | 第52-53页 |
| 第六章 总结与展望 | 第53-55页 |
| ·总结 | 第53-54页 |
| ·展望 | 第54-55页 |
| 符号表 | 第55-57页 |
| 致谢 | 第57-58页 |