| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章 引言 | 第9-16页 |
| ·GaN MOS 结构器件优势和国内外研究现状 | 第9-13页 |
| ·GaN MOS 结构器件优势 | 第9-10页 |
| ·GaN MOS 器件研究现状 | 第10-13页 |
| ·论文主要研究意义 | 第13-14页 |
| ·论文主要研究内容 | 第14-16页 |
| 第二章 GaN MOSFET 器件工艺概述及器件表征 | 第16-23页 |
| ·GaN MOSFET 器件工艺概述 | 第16-19页 |
| ·GaN 衬底层材料生长 | 第16-18页 |
| ·源漏区欧姆接触 | 第18-19页 |
| ·介质隔离技术 | 第19页 |
| ·GaN MOSFET 器件特性表征 | 第19-23页 |
| ·材料特性表征 | 第20-21页 |
| ·电学特性表征 | 第21-23页 |
| 第三章 GaN 多层膜结构椭偏测试准确性研究 | 第23-42页 |
| ·椭偏测试理论概述 | 第23-29页 |
| ·椭偏测试原理及应用 | 第23-28页 |
| ·椭偏测试条件 | 第28-29页 |
| ·GaN 多层膜结构椭偏测试研究 | 第29-40页 |
| ·U-GaN/LT-GaN/Sapphire 结构 | 第29-33页 |
| ·U-GaN/AlN/Sapphire 结构 | 第33-35页 |
| ·n~+AlGaN/n~-AlGaN/SL/AlN/Sapphire 结构 | 第35-40页 |
| ·椭偏测试准确性分析及结论 | 第40-42页 |
| 第四章 GaN 离子注入工艺研究 | 第42-57页 |
| ·离子注入工艺概况 | 第42-44页 |
| ·n 型GaN 离子注入工艺研究现状 | 第44页 |
| ·GaN 离子注入工艺条件 | 第44-46页 |
| ·GaN 离子注入及退火后样品特性分析 | 第46-56页 |
| ·表面形貌分析 | 第46页 |
| ·损伤特性分析 | 第46-48页 |
| ·电学特性分析 | 第48-50页 |
| ·光学特性分析 | 第50-52页 |
| ·椭偏测试分析 | 第52-56页 |
| ·结论 | 第56-57页 |
| 第五章 GaN 高温干氧氧化工艺研究 | 第57-69页 |
| ·GaN 氧化 | 第57-60页 |
| ·氧化工艺概况 | 第57-58页 |
| ·GaN 氧化工艺概述 | 第58-60页 |
| ·GaN 干氧氧化工艺条件 | 第60-61页 |
| ·Ga_2O_3 薄膜特性分析 | 第61-68页 |
| ·表面形貌分析 | 第61页 |
| ·氧化物晶体质量分析 | 第61-62页 |
| ·氧化物表面组成和价态分析 | 第62-65页 |
| ·氧化物薄膜光学特性和厚度分析 | 第65-68页 |
| ·总结 | 第68-69页 |
| 第六章 结论 | 第69-71页 |
| 致谢 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-76页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第76-77页 |
