| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-26页 |
| ·高压器件中的横向结终端技术 | 第12-19页 |
| ·横向高压器件中体内场优化思想的萌芽 | 第19-22页 |
| ·本论文的主要工作 | 第22-23页 |
| ·本论文的主要创新点 | 第23-26页 |
| 第二章 浮空埋层新结构FBL-LDMOS体内场优化 | 第26-46页 |
| ·纵向浮空埋层新结构FBL-LDMOS的耐压机理 | 第26-32页 |
| ·纵向浮空埋层新结构FBL-LDMOS的参数优化 | 第32-37页 |
| ·纵向浮空埋层新结构FBL-LDMOS的工艺及版图设计 | 第37-42页 |
| ·光刻对位问题 | 第37-39页 |
| ·衬底制备 | 第39-40页 |
| ·工艺及版图设计 | 第40-42页 |
| ·实验结果及分析 | 第42-45页 |
| ·本章小结 | 第45-46页 |
| 第三章 多埋层结终端技术LDMOS体内场优化 | 第46-64页 |
| ·均匀多埋层的纵向结终端技术LDMOS的耐压机理 | 第46-50页 |
| ·均匀多埋层纵向结终端技术LDMOS的参数优化方案 | 第50-54页 |
| ·非均匀多埋层纵向结终端技术LDMOS的耐压机理 | 第54-58页 |
| ·非均匀多埋层纵向结终端技术LDMOS的参数优化方案 | 第58-62页 |
| ·本章小结 | 第62-64页 |
| 第四章 横向超结LDMOS体内场优化 | 第64-100页 |
| ·横向超结器件中衬底辅助耗尽效应 | 第64-70页 |
| ·具有阶梯掺杂buffer层的横向超结LDMOS | 第70-80页 |
| ·具有浮空N型埋层超结LDMOS的耐压机理 | 第80-93页 |
| ·具有N型浮空埋层超结LDMOS的实验结果与分析 | 第93-98页 |
| ·本章小结 | 第98-100页 |
| 第五章 结论与展望 | 第100-103页 |
| ·结论 | 第100-101页 |
| ·下一步工作 | 第101-103页 |
| 致谢 | 第103-104页 |
| 参考文献 | 第104-114页 |
| 读博期间取得的研究成果 | 第114-115页 |
