| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-11页 |
| ·研究背景 | 第7-8页 |
| ·课题研究内容 | 第8-11页 |
| 第二章 SiO_2介质材料的辐照效应及1/f 噪声理论 | 第11-19页 |
| ·SiO_2介质材料的辐照效应 | 第11-14页 |
| ·集成电路中的常用介质材料——SiO_2 | 第11-12页 |
| ·辐照效应的基本概念 | 第12-13页 |
| ·介质材料的辐照效应 | 第13-14页 |
| ·MOS器件的辐照损伤 | 第14-17页 |
| ·微观机理 | 第14-16页 |
| ·宏观表现 | 第16-17页 |
| ·l/f噪声理论 | 第17-19页 |
| ·l/f噪声概述 | 第17页 |
| ·l/f噪声产生机制 | 第17-19页 |
| 第三章 SiO_2样品的辐照-噪声实验 | 第19-29页 |
| ·辐照实验 | 第19-24页 |
| ·实验样品及实验条件 | 第19-20页 |
| ·参量测试平台 | 第20-23页 |
| ·电荷分离 | 第23-24页 |
| ·实验结果与分析 | 第24-29页 |
| ·l/f噪声的偏置特性 | 第24-25页 |
| ·辐照及退火前后主要电参量的变化 | 第25-26页 |
| ·辐照及退火前后噪声参量的变化 | 第26-27页 |
| ·电参量与噪声参量变化的相关性 | 第27-29页 |
| 第四章 测试结构设计模型及设计理论 | 第29-45页 |
| ·MOSFET测试结构抗辐照能力预测模型 | 第29-39页 |
| ·MOSFET的辐照退化机理 | 第29-30页 |
| ·MOSFET中1/f 噪声产生模型 | 第30-34页 |
| ·MOSFET测试结构辐照退化噪声预测模型 | 第34-36页 |
| ·模型模拟验证及预测方法 | 第36-39页 |
| ·MOS电容测试结构设计模型 | 第39-42页 |
| ·MOS电容的辐照退化机理 | 第39-40页 |
| ·MOS电容的噪声特性 | 第40-41页 |
| ·MOS电容辐照退化与噪声的相关性 | 第41-42页 |
| ·设计理论 | 第42-45页 |
| 第五章 测试结构的设计方案 | 第45-51页 |
| ·设计的原则和依据 | 第45-46页 |
| ·设计原则 | 第45页 |
| ·设计依据 | 第45-46页 |
| ·设计的工艺要求 | 第46-47页 |
| ·测试样品设计 | 第47-51页 |
| ·物理结构设计 | 第47-48页 |
| ·版图结构设计 | 第48-50页 |
| ·测试样品制造设计 | 第50-51页 |
| 第六章 结论 | 第51-55页 |
| ·主要研究工作及结论 | 第51-52页 |
| ·展望 | 第52-55页 |
| 致谢 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-61页 |
| 作者在读期间的研究成果 | 第61-62页 |