| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-18页 |
| ·SiC材料优势 | 第12-13页 |
| ·SiC MOS器件和电路研究动态 | 第13-16页 |
| ·SiC MOS器件研究 | 第13-15页 |
| ·具有温度稳定性的SiC MOS电路研究 | 第15-16页 |
| ·本文的主要工作 | 第16-18页 |
| 第二章 SiC材料和MOS器件温度特性的研究 | 第18-55页 |
| ·SiC材料特性 | 第18-23页 |
| ·本征载流子浓度和禁带宽度 | 第18-19页 |
| ·SiC材料杂质的离化率 | 第19-20页 |
| ·体迁移率 | 第20-21页 |
| ·SiC材料的碰撞离化和临界电场 | 第21-22页 |
| ·SiC材料的各向异性 | 第22-23页 |
| ·SiC材料电子空穴对产生复合 | 第23页 |
| ·6H-SiC MOSFET界面陷阱效应的研究 | 第23-37页 |
| ·界面陷阱电荷与界面固定电荷的分离方法 | 第24-27页 |
| ·不同温度下界面陷阱模型参数的提取 | 第27-32页 |
| ·界面陷落电荷的计算模型 | 第32-34页 |
| ·不同温度下界面陷阱对6H-SiC MOS器件直流特性的影响 | 第34-36页 |
| ·界面陷落电荷对器件瞬态特性的影响 | 第36-37页 |
| ·温度影响下各散射机制对表面迁移率的影响 | 第37-42页 |
| ·表面声子散射 | 第38页 |
| ·表面粗糙散射 | 第38页 |
| ·界面陷落电荷库伦散射 | 第38-40页 |
| ·界面有效垂直电场的计算 | 第40页 |
| ·仿真结果及讨论 | 第40-42页 |
| ·各向异性6H-SiC MOSFET击穿的温度特性 | 第42-48页 |
| ·仿真所采用的器件模型 | 第42-43页 |
| ·6H-SiC MOSFET的雪崩击穿 | 第43-45页 |
| ·载流子碰撞离化的各向异性 | 第45页 |
| ·6H-SiC MOSFET击穿现象的温度特性 | 第45-47页 |
| ·6H-SiC MOSFET的各向异性击穿现象 | 第47-48页 |
| ·温度影响下6H-SiC埋沟PMOSFET特性的影响 | 第48-54页 |
| ·杂质的不完全离化和电流解析模型的建立 | 第48-50页 |
| ·结果及讨论 | 第50-54页 |
| ·本章小结 | 第54-55页 |
| 第三章 6H-SiC CMOS数字倒相器温度特性的研究 | 第55-60页 |
| ·SiC CMOS的电路结构 | 第55-56页 |
| ·CMOS反相器的直流特性 | 第56-57页 |
| ·静态参数的提取 | 第57-58页 |
| ·门阈值电压 | 第57页 |
| ·噪声容限 | 第57-58页 |
| ·仿真结果及讨论 | 第58-59页 |
| ·传输特性随温度的变化 | 第58-59页 |
| ·阈值电压和噪声容限随温度变化 | 第59页 |
| ·本章小结 | 第59-60页 |
| 第四章 SiC CMOS OPAMP温度特性的研究 | 第60-82页 |
| ·直流偏置 | 第60-65页 |
| ·零温度系数点存在的必要条件 | 第60-62页 |
| ·6H-SiC MOST零温度系数点的求解 | 第62-64页 |
| ·ZTC点栅偏置电压方程 | 第64-65页 |
| ·高温CMOS模拟集成电路的设计规则 | 第65-68页 |
| ·偏置电压的产生 | 第68-69页 |
| ·差分输入级设计 | 第69-70页 |
| ·输出级 | 第70-71页 |
| ·6H-SiC CMOS运算放大器温度特性的研究 | 第71-81页 |
| ·阈值电压随温度的变化 | 第71页 |
| ·沟道有效迁移率随温度的变化 | 第71-72页 |
| ·泄漏电流随温度的变化 | 第72-73页 |
| ·栅跨导的温度特性 | 第73-74页 |
| ·小信号输出电导的温度特性 | 第74-75页 |
| ·差分放大器的小信号电压增益的温度特性 | 第75-76页 |
| ·CMOS差分放大器的共模抑制比(CMRR) | 第76-77页 |
| ·6H-SiC CMOS运放的温度特性 | 第77-81页 |
| ·本章小结 | 第81-82页 |
| 第五章 实验和版图 | 第82-94页 |
| ·版图设计和工艺流程 | 第82-88页 |
| ·版图设计 | 第82-86页 |
| ·工艺流程 | 第86-88页 |
| ·离子注入杂质分布的模拟 | 第88-90页 |
| ·欧姆接触工艺研究 | 第90-92页 |
| ·4H-SiC NMOSFET实验结果 | 第92-93页 |
| ·本章小结 | 第93-94页 |
| 第六章 结束语 | 第94-97页 |
| 致谢 | 第97-98页 |
| 参考文献 | 第98-103页 |
| 攻读博士学位期间参加的科研项目及完成的学术论文 | 第103-104页 |
