纳米MOS器件中的量子效应分析及其模拟
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-9页 |
| ·研究背景 | 第7-8页 |
| ·论文结构 | 第8-9页 |
| 第二章 纳米MOS器件的量子效应分析 | 第9-21页 |
| ·纳米MOSFET结构和特点 | 第9-11页 |
| ·纳米MOSFET体系机构 | 第9-10页 |
| ·纳米MOSFET特征和参数 | 第10-11页 |
| ·量子尺寸效应强电场的产生 | 第11-12页 |
| ·MOSFET中的量子隧穿效应 | 第12-17页 |
| ·MOSFET中的栅介质隧穿 | 第13-14页 |
| ·不同区域间的隧穿 | 第14-15页 |
| ·MOSFET中的带-带隧穿（BTBT） | 第15-17页 |
| ·载流子能量量子化效应 | 第17-21页 |
| ·二维电子气和二维子带 | 第19页 |
| ·能级分裂 | 第19-21页 |
| 第三章 能量量子化效应分析与模拟 | 第21-39页 |
| ·薛定谔-泊松方程组的自洽求解方法 | 第21-26页 |
| ·自洽求解薛定谔-泊松方程组流程 | 第21-22页 |
| ·数值模拟实例 | 第22-26页 |
| ·求解MOSFET的能量量子化效应 | 第26-32页 |
| ·自洽模拟能级量子化 | 第26-29页 |
| ·等效表面态密度 | 第29-32页 |
| ·栅电容退化的自洽模拟 | 第32-38页 |
| ·自洽模拟沟道载流子密度分布 | 第32-33页 |
| ·量子栅电容模型 | 第33-36页 |
| ·自洽模拟MOSFET的栅电容 | 第36-38页 |
| ·讨论和小结 | 第38-39页 |
| 第四章 MOSFET量子隧穿效应分析与模拟 | 第39-53页 |
| ·MOSFET量子隧穿数学模型 | 第39-43页 |
| ·自洽模拟MOSFET超薄栅氧电子隧穿机制 | 第40-41页 |
| ·边界条件 | 第41-42页 |
| ·自洽模拟隧穿电流 | 第42-43页 |
| ·量子修正隧穿漏电流 | 第43-49页 |
| ·不同区域的隧穿电流模拟 | 第44-47页 |
| ·高κ栅介质的隧穿模拟 | 第47-48页 |
| ·多晶硅栅隧穿电流模拟 | 第48-49页 |
| ·新型纳米器件 | 第49-51页 |
| ·SOI MOS器件 | 第49-50页 |
| ·DG MOS器件 | 第50-51页 |
| ·讨论与小结 | 第51-53页 |
| 第五章 结束语 | 第53-55页 |
| ·总结 | 第53页 |
| ·后续研究方向 | 第53-54页 |
| ·展望 | 第54-55页 |
| 致谢 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-61页 |
| 在学期间研究成果 | 第61-62页 |
