高压MOSFET Ⅰ-Ⅴ特性宏模型的建立与研究

论文摘要	第1-7页
ABSTRACT	第7-9页
第一章 绪论	第9-14页
·高压集成电路与高压MOS器件简介	第9-10页
·高压MOSFET模型国内外研究现状	第10-12页
·课题的意义与目标	第12-14页
第二章 高压MOSFET工作原理	第14-23页
·高压MOSFET的发展	第14-17页
·高压DDDMOSFET工作原理	第17-20页
·高压DDDMOSFET工艺流片	第20-23页
第三章 SPICE仿真器与器件模型	第23-36页
·器件模型简介	第23-26页
·SPICE模型的发展	第26-32页
·器件模型发展的挑战	第32-36页
第四章 高压MOSFET工作机制研究	第36-47页
·BSIM3模拟HV MOSFET的偏差	第36-40页
·HV MOSFET的特殊效应	第40-44页
·HV DDDMOSFET特有工作机制研究	第44-47页
第五章 高压MOSFET I-V特性宏模型建立	第47-61页
·高压MOSFET I-V特性宏模型子电路	第47-48页
·宏模型子电路的工作原理分析	第48-50页
·MESFET原理及SPICE模型	第50-53页
·MESFET的拟合与参数表达式	第53-61页
第六章 宏模型的实现与验证	第61-70页
·高压DDDMOS研究数据采集与挑选	第61-65页
·宏模型参数提取与优化	第65-67页
·优化后的宏模型仿真结果	第67-70页
结论与展望	第70-72页
参考文献	第72-77页
硕士期间发表学术论文	第77-78页
致谢	第78页