| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-28页 |
| ·SiC材料、工艺和器件的发展 | 第13-21页 |
| ·SiC材料的发展 | 第14-16页 |
| ·SiC工艺的发展 | 第16-17页 |
| ·SiC器件的发展 | 第17-21页 |
| ·SiC MESFETs结构的发展及自热效应 | 第21-25页 |
| ·SiC MESFETs结构的发展 | 第21-24页 |
| ·SiC MESFETs器件的自热效应 | 第24-25页 |
| ·本论文主要工作与创新点 | 第25-28页 |
| 第二章 4H-SiC MESFETs器件二维新结构 | 第28-61页 |
| ·引言 | 第28页 |
| ·4H-SiC MESFETs数值分析基础 | 第28-36页 |
| ·基本方程 | 第29-30页 |
| ·物理模型 | 第30-33页 |
| ·功率和频率特性表征 | 第33-36页 |
| ·4H-SiC MESFETs源漏凹陷双凹栅结构与特性分析 | 第36-41页 |
| ·器件结构与工作原理 | 第37-38页 |
| ·器件特性分析与讨论 | 第38-41页 |
| ·4H-SiC MESFETs浮空金属条结构及特性分析 | 第41-52页 |
| ·浮空金属环技术原理及在SiC Schottky二极管中的应用 | 第43-47页 |
| ·4H-SiC MESFETs浮空金属条结构及原理 | 第47-48页 |
| ·4H-SiC MESFETs浮空金属条结构特性分析 | 第48-52页 |
| ·4H-SiC MESFETs凹栅结构实验 | 第52-59页 |
| ·器件结构与参数 | 第52-54页 |
| ·实验结果与分析 | 第54-59页 |
| ·小结 | 第59-61页 |
| 第三章 4H-SiC MESFETs器件三维新结构 | 第61-80页 |
| ·引言 | 第61-62页 |
| ·4H-SiC MESFETs对称三维三栅结构与特性分析 | 第62-66页 |
| ·器件结构与工作原理 | 第62-63页 |
| ·器件特性分析与讨论 | 第63-66页 |
| ·4H-SiC MESFETs源漏凹陷对称三维三栅结构与特性分析 | 第66-71页 |
| ·器件结构与工作原理 | 第66-67页 |
| ·器件特性分析与讨论 | 第67-71页 |
| ·4H-SiC MESFETs漏凹陷非对称三维三栅结构与特性分析 | 第71-78页 |
| ·器件结构与工作原理 | 第72-73页 |
| ·器件特性分析与讨论 | 第73-78页 |
| ·小结 | 第78-80页 |
| 第四章 4H-SiC MESFETs热模型 | 第80-101页 |
| ·引言 | 第80页 |
| ·4H-SiC MESFETs三维热模型分析 | 第80-92页 |
| ·热模型的建立 | 第83-86页 |
| ·结果与讨论 | 第86-92页 |
| ·4H-SiC MESFETs直流Ⅳ特性电热模型分析 | 第92-99页 |
| ·电热模型的建立 | 第93-96页 |
| ·结果与讨论 | 第96-99页 |
| ·小结 | 第99-101页 |
| 第五章 结论和展望 | 第101-104页 |
| ·结论 | 第101-103页 |
| ·下一步工作 | 第103-104页 |
| 致谢 | 第104-105页 |
| 参考文献 | 第105-115页 |
| 攻博期间取得的研究成果 | 第115-117页 |
