| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-13页 |
| §1.1 MOS器件发展 | 第7-9页 |
| §1.2 MOS器件面临的困难和挑战 | 第9-12页 |
| §1.3 本论文的工作 | 第12-13页 |
| 第二章 围栅器件研究背景 | 第13-26页 |
| §2.1 围栅MOSFET等比例缩小理论 | 第13-16页 |
| §2.2 垂直围栅MOSFET器特性 | 第16-22页 |
| ·部分耗尽的垂直围栅MOSFET.的阈值电压 | 第16-20页 |
| ·全耗尽的垂直围栅MOSFET阈值电压 | 第20-21页 |
| ·围栅MOSFET的亚阈值特性 | 第21-22页 |
| §2.3 纳米线围栅器件的工艺实现方法"自上而下"和"自底向上" | 第22-26页 |
| 第三章 体硅纳米线围栅器件的制备 | 第26-43页 |
| §3.1 体硅纳米线围栅器件制备方法的提出 | 第26-27页 |
| §3.2 体硅纳米线围栅器件制备方法 | 第27-32页 |
| §3.3 体硅硅纳米线围栅器件单项试验 | 第32-43页 |
| ·单项实验版图设计 | 第32-33页 |
| ·体硅纳米线围栅器件单项工艺 | 第33-43页 |
| 第四章 体硅纳米线围栅器件的流片及测试 | 第43-50页 |
| §4.1 硅纳米线围栅器件正式制片版图设计 | 第43-45页 |
| §4.2 体硅纳米线围栅器件的流片结果和讨论 | 第45-48页 |
| §4.3 体硅纳米线围栅器件电学特性测试 | 第48-50页 |
| 第五章 总结 | 第50-52页 |
| 致谢 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-55页 |