6H-SiC MOS结构界面物理性质和辐照特性研究
| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 第一章 综述 | 第9-16页 |
| ·引言 | 第9-10页 |
| ·SiC材料的基本性质 | 第10-11页 |
| ·SiO_2薄膜的基本性质 | 第11-13页 |
| ·热氧化生长SiO_2薄膜 | 第13-14页 |
| ·SiC MOS器件 | 第14页 |
| 参考文献 | 第14-16页 |
| 第二章 实验原理和测试方法 | 第16-27页 |
| ·MOS结构的C-V特性 | 第16-23页 |
| ·SiO_2薄膜结构的测试方法 | 第23-24页 |
| ·样品制备 | 第24-25页 |
| ·小结 | 第25-26页 |
| 参考文献 | 第26-27页 |
| 第三章 SiC MOS结构的光照特性 | 第27-45页 |
| ·无光照时SiC MOS电容的C-V特性曲线 | 第27-31页 |
| ·SiC MOS电容的光照C-V特性 | 第31-39页 |
| ·低温实验 | 第39-42页 |
| ·界面态对SiC MOS器件的影响 | 第42-43页 |
| ·小结 | 第43页 |
| 参考文献 | 第43-45页 |
| 第四章 SiC MOS结构的辐照特性 | 第45-57页 |
| ·辐照对MOS结构电学特性的影响 | 第45-47页 |
| ·SiC MOS结构的辐照特性 | 第47-52页 |
| ·讨论 | 第52-54页 |
| ·小结 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-57页 |
| 第五章 SiC热氧化层的化学结构分析 | 第57-66页 |
| ·XPS测试 | 第57-62页 |
| ·SIMS测试 | 第62-64页 |
| ·小结 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-66页 |
| 结论 | 第66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |
| 附录 | 第67-69页 |
