| 中文摘要 | 第1-5页 |
| 英文摘要 | 第5-8页 |
| 第一章 绪言 | 第8-14页 |
| 1．1 热载流子效应研究的重要性 | 第8-10页 |
| 1．2 MOS器件热载流子效应的研究现状 | 第10-11页 |
| 1．3 本论文的主要研究工作及其意义 | 第11-14页 |
| 第二章 PMOSFET's的热载流子退化效应 | 第14-27页 |
| 2．1 试验器件的制备、应力方案、测试方法和分析方法 | 第14-17页 |
| 2．1．1 应力测试方案 | 第14-15页 |
| 2．1．2 器件特性的测量方法与分析方法 | 第15-17页 |
| 2．2 器件Ⅰ-Ⅴ特性和静态参数随应力时间的退化 | 第17-22页 |
| 2．2．1 应力期间器件Ⅰ-Ⅴ特性的漂移 | 第18-20页 |
| 2．2．2 器件静态参数随应力时间的退化 | 第20-22页 |
| 2．3 PMOS器件静态参数退化的物理解释和建模 | 第22-26页 |
| 2．3．1 PMOS器件热载流子损伤的生长规律 | 第23-24页 |
| 2．3．2 PMOS热载流子损伤生长的模拟 | 第24-25页 |
| 2．3．3 对本文PMOS器件静态参数退化的物理解释 | 第25-26页 |
| 2．4 本章小结 | 第26-27页 |
| 第三章 退化后PMOSFET's的高场退火 | 第27-34页 |
| 3．1 高场退火期间器件参数退化的恢复 | 第27-30页 |
| 3．2 PMOS器件高场退火期间的退陷阱效应 | 第30-32页 |
| 3．3 对NMOS和PMOS热载流子退化新的解释 | 第32-33页 |
| 3．4 本章小结 | 第33-34页 |
| 第四章 PMOSFET's栅电流退化及其模拟 | 第34-47页 |
| 4．1 器件退化与栅电流和衬底电流的相互关系 | 第35-38页 |
| 4．2 衬底电流和栅电流特性与模型 | 第38-41页 |
| 4．2．1 PMOSFET's和NMOSFET's的衬底电流和栅电流特性 | 第38-40页 |
| 4．2．2 PMOSFET's栅电流模型与模拟 | 第40-41页 |
| 4．3 栅电流和衬底电流退化特性及其退化模型 | 第41-43页 |
| 4．4 一个新的准确的栅电流退化解析模型 | 第43-46页 |
| 4．4．1 栅电流随应力时间的退化和退化速率计算 | 第44-45页 |
| 4．4．2 栅电流退化解析模型 | 第45-46页 |
| 4．5 本章小结 | 第46-47页 |
| 第五章 PMOSFET's器件寿命评估 | 第47-56页 |
| 5．1 常规寿命评估方法 | 第48-50页 |
| 5．2 栅注入电荷总量法评估器件寿命 | 第50-55页 |
| 5．2．1 器件参数退化与注入电荷量的关系 | 第51-54页 |
| 5．2．2 退化模型的验证 | 第54-55页 |
| 5．3 本章小结 | 第55-56页 |
| 第六章 结束语 | 第56-58页 |
| 致 谢 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-62页 |
| 成 果 | 第62页 |
