| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-18页 |
| ·本文研究的目的和范围 | 第10-11页 |
| ·RTS 噪声研究现状与局限性 | 第11-15页 |
| ·RTS 噪声测量与参数的提取 | 第11-12页 |
| ·RTS 噪声测量 | 第11-12页 |
| ·RTS 噪声参数提取 | 第12页 |
| ·RTS 噪声机理与模型 | 第12-14页 |
| ·RTS 时域模型的研究 | 第12-13页 |
| ·RTS 幅度模型的研究 | 第13-14页 |
| ·利用RTS 噪声的边界陷阱分析方法 | 第14-15页 |
| ·本文研究的主要内容和方法 | 第15-18页 |
| ·RTS 噪声测量技术 | 第15-16页 |
| ·RTS 机理与模型研究 | 第16-17页 |
| ·超深亚微米MOS 器件RTS 噪声的时域模型 | 第16-17页 |
| ·超深亚微米MOS 器件RTS 噪声的幅度模型 | 第17页 |
| ·基于RTS 噪声的边界陷阱分析方法 | 第17-18页 |
| 第二章 MOS 器件中的陷阱与噪声 | 第18-36页 |
| ·MOS 器件中的陷阱 | 第18-24页 |
| ·陷阱的来源 | 第18-21页 |
| ·工艺引入的陷阱 | 第18-19页 |
| ·应力产生的陷阱 | 第19-21页 |
| ·陷阱的性质 | 第21-24页 |
| ·界面陷阱 | 第21-22页 |
| ·氧化层陷阱 | 第22-24页 |
| ·MOS 器件中的噪声 | 第24-30页 |
| ·噪声的分类 | 第24-26页 |
| ·本征噪声 | 第24-25页 |
| ·非本征噪声 | 第25-26页 |
| ·产生-复合噪声 | 第26-30页 |
| ·1/f 噪声 | 第26-29页 |
| ·RTS 噪声 | 第29-30页 |
| ·陷阱与RTS 噪声的关系 | 第30-34页 |
| ·陷阱对载流子的俘获和发射 | 第31-33页 |
| ·陷阱电荷的影响 | 第33-34页 |
| ·小结 | 第34-36页 |
| 第三章RTS 噪声测量技术研究 | 第36-58页 |
| ·引言 | 第36-37页 |
| ·本文研究中使用的测量方法 | 第37-38页 |
| ·俘获和发射时间常数的测量 | 第37-38页 |
| ·RTS 噪声电流幅度的测量 | 第38页 |
| ·基于虚拟仪器的RTS 噪声测量系统 | 第38-44页 |
| ·测量系统的构成 | 第38-39页 |
| ·偏置与测量电路 | 第39-41页 |
| ·偏置电路 | 第39-40页 |
| ·信号放大 | 第40-41页 |
| ·虚拟仪器 | 第41页 |
| ·测量系统的使用 | 第41-44页 |
| ·抗干扰措施 | 第41-42页 |
| ·系统带宽引入误差 | 第42-43页 |
| ·前放倍率与量化误差 | 第43-44页 |
| ·数据分析方法研究 | 第44-51页 |
| ·实测信号特征 | 第44-45页 |
| ·时间特性提取方法 | 第45-49页 |
| ·提取算法 | 第45-48页 |
| ·误差分析 | 第48-49页 |
| ·幅度特征提取 | 第49-51页 |
| ·提取算法 | 第50-51页 |
| ·误差分析 | 第51页 |
| ·与传统方法对比 | 第51-53页 |
| ·偏置电路 | 第52页 |
| ·测量系统使用 | 第52-53页 |
| ·提取算法 | 第53页 |
| ·90 纳米器件的测量 | 第53-57页 |
| ·样品的工艺、结构和特性 | 第54-55页 |
| ·测试样片的结构 | 第55页 |
| ·样品夹具 | 第55-57页 |
| ·小结 | 第57-58页 |
| 第四章 超深亚微米MOS 器件RTS 噪声时域特性研究 | 第58-76页 |
| ·引言 | 第58-59页 |
| ·深亚微米器件中陷阱的载流子交换模式与影响因素 | 第59-63页 |
| ·MOS 结构中陷阱的载流子交换模式 | 第59-60页 |
| ·多晶硅栅的建模 | 第60-62页 |
| ·俘获截面 | 第62-63页 |
| ·陷阱对载流子的俘获和发射机制 | 第63-66页 |
| ·热激活机制 | 第63-64页 |
| ·隧穿机制 | 第64-65页 |
| ·热激活+隧穿机制 | 第65-66页 |
| ·时域模型 | 第66-69页 |
| ·偏置下的陷阱时间特征 | 第66-68页 |
| ·时间特征与器件端口偏置之间的关系 | 第68-69页 |
| ·实验结果与分析 | 第69-74页 |
| ·测量与模拟结果 | 第71-72页 |
| ·实验结果分析 | 第72-74页 |
| ·小结 | 第74-76页 |
| 第五章 超深亚微米MOS 器件RTS 噪声幅度特性研究 | 第76-88页 |
| ·引言 | 第76-77页 |
| ·薄栅器件中陷阱电荷对沟道的影响 | 第77-80页 |
| ·薄栅器件中的载流子数涨落 | 第78-79页 |
| ·薄栅器件中的迁移率涨落 | 第79-80页 |
| ·幅度特性 | 第80-84页 |
| ·RTS 噪声的相对幅度 | 第80-82页 |
| ·幅度特性与偏置的关系 | 第82-84页 |
| ·测量与模拟结果分析 | 第84-86页 |
| ·实验与模拟结果 | 第84-85页 |
| ·结果分析 | 第85-86页 |
| ·小结 | 第86-88页 |
| 第六章 基于RTS 噪声的陷阱分析方法研究 | 第88-106页 |
| ·引言 | 第88-89页 |
| ·陷阱横向位置的分析方法 | 第89-93页 |
| ·分析方法 | 第89-90页 |
| ·测量结果与讨论 | 第90-93页 |
| ·陷阱的深度和能级的提取方法 | 第93-98页 |
| ·陷阱深度信息的提取原理 | 第94-96页 |
| ·测量结果与分析 | 第96-98页 |
| ·陷阱激活能和俘获截面的提取方法 | 第98-100页 |
| ·激活能和俘获截面的提取原理 | 第98-100页 |
| ·测量结果 | 第100页 |
| ·陷阱的散射系数的分析方法 | 第100-103页 |
| ·散射系数的分析原理 | 第101-102页 |
| ·测量结果分析与讨论 | 第102-103页 |
| ·小结 | 第103-106页 |
| 第七章 结论 | 第106-108页 |
| 致谢 | 第108-110页 |
| 参考文献 | 第110-124页 |
| 研究成果 | 第124-125页 |