| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 1 绪论 | 第9-15页 |
| ·SOI结构及其分类 | 第9-10页 |
| ·SOI技术优点及发展现状 | 第10-12页 |
| ·本文的研究意义及主要内容 | 第12-15页 |
| 2 器件结构建立与物理模型选取 | 第15-33页 |
| ·结构模型的建立 | 第15-19页 |
| ·器件结构的建立 | 第15-16页 |
| ·结构参数的选取 | 第16-19页 |
| ·物理模型的选取 | 第19-30页 |
| ·模拟软件简介 | 第19-20页 |
| ·物理模型选择 | 第20-30页 |
| ·材料参数的修改 | 第30-32页 |
| ·本章小结 | 第32-33页 |
| 3 几种FD SOI结构的温度特性分析 | 第33-43页 |
| ·传统SOI器件中自加热效应分析 | 第33-38页 |
| ·SOAN、AlN_DSOI与传统SOI器件电特性分析 | 第38-42页 |
| ·三种不同结构器件通态晶格温度分析 | 第38-39页 |
| ·温度对几种FD SOI器件输出特性的影响 | 第39-40页 |
| ·不同温度下几种器件驱动能力分析 | 第40-41页 |
| ·不同温度下几种器件阈值电压分析 | 第41-42页 |
| ·本章小结 | 第42-43页 |
| 4 全耗尽SOAN器件结构优化 | 第43-51页 |
| ·SOAN器件关键参数优化 | 第43-47页 |
| ·硅膜厚度T_(si)变化及环境温度变化对器件性能的影响 | 第43-44页 |
| ·掺杂浓度N_a变化及环境温度变化对器件性能的影响 | 第44-46页 |
| ·埋层厚度T_(box)变化及环境温度变化对器件性能的影响 | 第46-47页 |
| ·SOAN CMOS在不同温度下的瞬态特性 | 第47-48页 |
| ·相同结构参数的N管与P管Id_Vd特性 | 第47-48页 |
| ·SOAN CMOS在不同温度下的瞬态特性 | 第48页 |
| ·本章小结 | 第48-51页 |
| 5. Air_AlN_SOI新结构的提出 | 第51-63页 |
| ·改进的Air_AlN_SOI结构 | 第51-52页 |
| ·模拟结果与讨论 | 第52-58页 |
| ·晶格温度分布情况比较 | 第52-53页 |
| ·器件开态电流与关态电流比较 | 第53-55页 |
| ·阈值电压特性比较 | 第55-56页 |
| ·不同温度下器件的开态电流、关态电流和电流开关比的比较 | 第56-58页 |
| ·Air_AlN_SOI器件的工艺实现探索 | 第58-61页 |
| ·本章小结 | 第61-63页 |
| 6 结论 | 第63-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-70页 |
| 附录 | 第70页 |
