| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-23页 |
| ·微纳米MOS 器件的发展及存在的问题 | 第13-17页 |
| ·纳米器件的解决方案与实现途径 | 第17-19页 |
| ·栅工程 | 第17页 |
| ·沟道工程和超浅结技术 | 第17-18页 |
| ·新型器件 | 第18-19页 |
| ·SOI 技术的特点和优势 | 第19-20页 |
| ·SOI 技术发展的现状 | 第20-21页 |
| ·本文的主要研究工作和内容安排 | 第21-23页 |
| 第二章 短沟道SOI MOSFET 的基础理论 | 第23-35页 |
| ·短沟道全耗尽SOI MOSFET 的阈值电压模型 | 第23-30页 |
| ·抛物线近似模型 | 第23-25页 |
| ·准二维模型 | 第25-30页 |
| ·短沟道全耗尽SOI MOSFET 的亚阈值斜率 | 第30-33页 |
| ·全耗尽SOI MOSFET 的短沟道效应 | 第33-34页 |
| ·本章小结 | 第34-35页 |
| 第三章 异质栅全耗尽SOI MOSFET 的性能分析 | 第35-69页 |
| ·异质栅全耗尽SOI MOSFET 结构的提出 | 第35-36页 |
| ·绝缘介质Halo 异质栅MOSFET 的性能 | 第36-50页 |
| ·模拟工具及模型参数的选择 | 第36-39页 |
| ·绝缘介质Halo 异质栅MOSFET 结构的生成 | 第39-41页 |
| ·绝缘介质Halo 异质栅MOSFET 的电学特性 | 第41-49页 |
| ·器件缩小能力和结构参数的优化 | 第49-50页 |
| ·异质栅全耗尽SOI MOSFET 的阈值电压模型 | 第50-58页 |
| ·泊松方程的建立及边界条件的确定 | 第50-52页 |
| ·阈值电压的推导 | 第52-54页 |
| ·结论及分析 | 第54-58页 |
| ·非对称Halo 异质栅全耗尽SOI MOSFET 的解析模型 | 第58-67页 |
| ·表面势模型 | 第58-61页 |
| ·亚阈值电流模型 | 第61-62页 |
| ·结果与分析 | 第62-67页 |
| ·本章小结 | 第67-69页 |
| 第四章 肖特基源漏 SOI MOSFET 的物理模型 | 第69-89页 |
| ·肖特基源漏 SOI MOSFET 提出的背景 | 第69-71页 |
| ·肖特基源漏SOI MOSFET 的量子模型 | 第71-78页 |
| ·方形势阱微扰模型 | 第71-73页 |
| ·三角形势阱模型 | 第73-74页 |
| ·模型结果和分析 | 第74-78页 |
| ·肖特基源漏SOI MOSFET 的电流模型 | 第78-87页 |
| ·肖特基源漏SOI MOSFET 的电流输运机制 | 第78-79页 |
| ·电流输运方程 | 第79-82页 |
| ·结果与讨论 | 第82-87页 |
| ·本章小结 | 第87-89页 |
| 第五章 高k 栅介质 SOI MOSFET 的电特性分析 | 第89-109页 |
| ·高k 栅介质异质栅全耗尽SOI MOSFET 的基本特性 | 第89-100页 |
| ·FIBL 效应对器件性能的影响 | 第89-90页 |
| ·高k 栅介质器件中的泊松方程和边界条件 | 第90-93页 |
| ·变分法推导阈值电压模型 | 第93-96页 |
| ·结果和分析 | 第96-100页 |
| ·高k 栅介质肖特基源漏SOI MOSFET 的特性 | 第100-108页 |
| ·高k 栅介质对器件性能的影响 | 第100-103页 |
| ·器件性能提高的改进措施 | 第103-108页 |
| ·本章小结 | 第108-109页 |
| 第六章 高k 栅介质 MOS 电容 C-V 特性的实验研究 | 第109-125页 |
| ·可靠性测试系统 | 第109-110页 |
| ·Kerthley82-WIN 同步C-V 测试系统 | 第109-110页 |
| ·SIGATONE S1160 探针台 | 第110页 |
| ·五元件电路模型修正的双频C-V 法 | 第110-116页 |
| ·C-V 测量中的实际因素 | 第110-111页 |
| ·五元件等效小信号模型 | 第111-113页 |
| ·模型的实验验证及参数的提取 | 第113-116页 |
| ·界面陷阱电荷的测量 | 第116-124页 |
| ·界面态对高频C-V 特性的电容贡献和电压扩展 | 第117-118页 |
| ·高频C-V 线的电压偏移和界面态分布的关系 | 第118-120页 |
| ·界面态引起的C-V 曲线偏移结果讨论 | 第120-121页 |
| ·C-V 曲线测量界面态密度 | 第121-122页 |
| ·实验结果与分析讨论 | 第122-124页 |
| ·本章小结 | 第124-125页 |
| 第七章 结论与展望 | 第125-129页 |
| ·结论 | 第125-127页 |
| ·展望 | 第127-129页 |
| 致谢 | 第129-130页 |
| 参考文献 | 第130-139页 |
| 作者攻读博士期间的研究成果和参加的科研项目 | 第139-141页 |
