| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-13页 |
| ·国内外研究进展 | 第9-11页 |
| ·研究意义 | 第11页 |
| ·课题来源与研究内容 | 第11-13页 |
| 第二章 MOS 器件模型参数的提取 | 第13-31页 |
| ·MOS 晶体管模型 | 第13-19页 |
| ·模型的重要性 | 第13-14页 |
| ·MOSFET 器件模型 | 第14-19页 |
| ·提取参数 | 第19-24页 |
| ·PSPICE 优化提取参数 | 第24-31页 |
| ·Optimizer 工具 | 第24-27页 |
| ·MOS 器件参数的优化提取 | 第27-31页 |
| 第三章 仪器精密度与参数提取 | 第31-43页 |
| ·仪器精密度 | 第31-34页 |
| ·基本的数据统计分析理论 | 第31-33页 |
| ·精密度与准确度 | 第33-34页 |
| ·仪器精密度评估 | 第34-40页 |
| ·仪器精密度对 MOS 器件模型参数提取的指导 | 第40-43页 |
| 第四章 MOS 器件的 HPM 辐照实验 | 第43-57页 |
| ·概念与应用 | 第43-46页 |
| ·HPM 辐照损伤机理 | 第46-48页 |
| ·HPM 效应 | 第46-47页 |
| ·HPM 环境 | 第47-48页 |
| ·HPM 耦合 | 第48页 |
| ·MOS 器件HPM 辐照损伤实验 | 第48-57页 |
| ·实验设计 | 第48-49页 |
| ·VDMOS 管0002 的HPM 辐照效应实验及结果 | 第49-50页 |
| ·0001 的HPM 辐照效应实验及结果 | 第50-57页 |
| 第五章 失效分析及抗HPM 加固研究 | 第57-67页 |
| ·半导体器件 HPM 辐照失效基本理论 | 第57-59页 |
| ·MOS 器件HPM 效应结果分析 | 第59-64页 |
| ·失效理论预测 | 第59-61页 |
| ·失效分析结果 | 第61-64页 |
| ·MOS 器件抗HPM 辐照加固 | 第64-67页 |
| 总结 | 第67-69页 |
| 致谢 | 第69-71页 |
| 参考文献 | 第71-73页 |
| 作者攻读硕士期间的研究成果和参加的科研项目 | 第73-74页 |