| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-18页 |
| ·LDMOS功率器件的发展和研究进展 | 第8-10页 |
| ·与LDMOS可靠性相关的国内外科技发展动态 | 第10页 |
| ·选题的目的和意义 | 第10-11页 |
| ·LDMOS的研究方向 | 第11-16页 |
| ·LDMOS的频率特性 | 第11-12页 |
| ·LDMOS的击穿电压 | 第12-15页 |
| ·LDMOS的ESD特性 | 第15-16页 |
| ·本课题所要完成的工作 | 第16-18页 |
| 第二章 射频LDMOS的击穿电压 | 第18-32页 |
| ·LDMOS的击穿特性 | 第18页 |
| ·栅绝缘层的击穿 | 第18-19页 |
| ·漏源雪崩击穿 | 第19-23页 |
| ·击穿电压和衬底浓度的关系 | 第20页 |
| ·击穿电压和漂移区浓度的关系 | 第20-22页 |
| ·击穿电压和沟道区浓度的关系 | 第22-23页 |
| ·满足击穿电压要求情况下的阈值电压 | 第23页 |
| ·提高漏源雪崩击穿电压的技术 | 第23-30页 |
| ·RESURF技术 | 第24-25页 |
| ·双RESERF LDMOS结构 | 第25-27页 |
| ·场板技术 | 第27-29页 |
| ·具有n~+浮空等位层的LDMOS结构 | 第29-30页 |
| ·本章小结 | 第30-32页 |
| 第三章 射频LDMOS的静电保护 | 第32-50页 |
| ·静电效应 | 第32-34页 |
| ·静电放电模型 | 第34-37页 |
| ·人体等效放电模型（Human-Body Model，HBM） | 第34-36页 |
| ·机器放电模型（Machine Model，MM） | 第36-37页 |
| ·LDMOS的电热击穿机理和特性 | 第37-41页 |
| ·LDMOS和MOS在ESD过程中的差异 | 第37-40页 |
| ·LDMOS的电热击穿机理 | 第40-41页 |
| ·LDMOS的静电保护分类 | 第41-48页 |
| ·静电保护电路 | 第41-44页 |
| ·自保护结构 | 第44-48页 |
| ·本章小结 | 第48-50页 |
| 第四章 射频ESCR-LDMOS的结构和模拟 | 第50-68页 |
| ·ESCR-LDMOS的结构及等效电路 | 第50-51页 |
| ·ESCR-LDMOS的工艺参数 | 第51页 |
| ·ESCR-LDMOS和LDMOS的击穿机理 | 第51-52页 |
| ·ESCR-LDMOS关于ESD的工作原理分析 | 第52-53页 |
| ·ESCR-LDMOS的阈值电压 | 第53-54页 |
| ·ESCR-LDMOS的电流电压输出曲线 | 第54-55页 |
| ·ESCR-LDMOS的雪崩击穿电压 | 第55-58页 |
| ·ESCR-LDMOS漏源雪崩击穿电压BV_(DS)与漂移区的关系 | 第56-57页 |
| ·ESCR-LDMOS漏源雪崩击穿电压与衬底浓度之间的关系 | 第57-58页 |
| ·ESCR-LDMOS漏源雪崩击穿电压与沟道区浓度之间的关系 | 第58页 |
| ·ESCR-LDMOS的频率参数 | 第58-64页 |
| ·影响ESCR-LDMOS电容特性的因素 | 第59-63页 |
| ·影响ESCR-LDMOS 跨导特性的因素 | 第63-64页 |
| ·ESD引起ESCR-LDMOS电热击穿的模拟分析 | 第64-67页 |
| ·ESCR-LDMOS的电热模拟结果分析 | 第65页 |
| ·ESCR-LDMOS的二次击穿电流分析 | 第65-66页 |
| ·ESCR-LDMOS的电子电流密度分布 | 第66-67页 |
| ·ESCR-LDMOS的电场分布 | 第67页 |
| ·本章小结 | 第67-68页 |
| 第五章 结束语 | 第68-69页 |
| ·结论 | 第68页 |
| ·未来的计划 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-73页 |
| 致谢 | 第73-74页 |
| 研究成果 | 第74-75页 |
