| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 目录 | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-14页 |
| §1.1 微电子技术的发展趋势 | 第7-10页 |
| §1.2 氮氧硅栅MOS器件的可靠性问题及研究现状 | 第10-12页 |
| §1.3 论文的主要工作及内容安排 | 第12-14页 |
| 第二章 MOS器件可靠性研究的理论及实验基础 | 第14-24页 |
| §2.1 可靠性研究的相关理论基础 | 第14-17页 |
| §2.2 可靠性的实验方法和重要参数提取 | 第17-24页 |
| 第三章 氮氧硅栅介质SILC的理论和实验研究 | 第24-34页 |
| §3.1 氮氧硅栅介质的制备和电学特性 | 第24-26页 |
| §3.2 氮氧硅栅介质的SILC特性 | 第26-27页 |
| §3.3 SILC效应的物理机制和实验研究 | 第27-34页 |
| 第四章 超薄氮氧硅栅PMOS器件的NBTI特性 | 第34-45页 |
| §4.1 BTI特性研究的背景和发展状况 | 第34页 |
| §4.2 BTI特性的分类及其物理模型 | 第34-37页 |
| §4.3 超薄氮氧硅栅介质NBTI特性的实验研究 | 第37-45页 |
| 结论 | 第45-46页 |
| 致谢 | 第46-47页 |
| 参考文献 | 第47-49页 |