| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 引言 | 第6-7页 |
| 第一章 集成电路工艺介绍 | 第7-16页 |
| ·集成电路各模块工艺 | 第7页 |
| ·集成电路工艺流程 | 第7-8页 |
| ·金属氧化物半导体(MOS)晶体管与双极型晶体管的比较 | 第8-10页 |
| ·BIPOLAR-CMOS-DMOS工艺(BCD工艺)的形成 | 第10-11页 |
| ·0.6UM BCD工艺的简单流程 | 第11-12页 |
| ·0.6UM BCD工艺典型器件剖面图 | 第12-15页 |
| ·本章小结 | 第15-16页 |
| 第二章 工艺和器件模拟软件 | 第16-25页 |
| ·软件简介 | 第16-17页 |
| ·用户界面GENESIS | 第17页 |
| ·流程建立模块LIGAMENT | 第17-18页 |
| ·工艺模拟模块DIOS | 第18-19页 |
| ·网格定义模块MDRAW | 第19-20页 |
| ·器件模拟模块DESSIS | 第20-22页 |
| ·器件参数提取模块INSPECT | 第22-23页 |
| ·图形显示模块TECPLOT | 第23页 |
| ·模拟流程 | 第23-24页 |
| ·本章小结 | 第24-25页 |
| 第三章 横向双扩散MOS(LDMOS)及减小表面电场(RESURF)技术 | 第25-34页 |
| ·LDMOS的版图及剖面结构 | 第25-26页 |
| ·LDMOS的简单工作模型 | 第26-28页 |
| ·减小表面电场(RESURF)技术 | 第28-33页 |
| ·本章小结 | 第33-34页 |
| 第四章 0.6UM BCD工艺中几种LDMOS管的优化 | 第34-54页 |
| ·LDMOS管工艺参数的优化 | 第34-36页 |
| ·比电阻RSP与各工艺参数的关系 | 第36-38页 |
| ·LDMOS横向结构的选择 | 第38-41页 |
| ·LDMOS管横向尺寸的优化 | 第41-51页 |
| ·埋层BN对器件参数的影响 | 第51-53页 |
| ·本章小结 | 第53-54页 |
| 第五章 结论 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
