电子器件模拟软件中的MOSFET建模
| 第一章 概述 | 第1-18页 |
| 1．1 电子器件计算机模拟分类 | 第8-10页 |
| 1．2 MOSFET器件的建模发展动态 | 第10-13页 |
| 1．3 对器件模型的要求 | 第13-14页 |
| 1．4 器件模型参数的提取 | 第14-17页 |
| 1．5 本文建模的方法 | 第17-18页 |
| 第二章 MOSFET的直流特性模拟建模 | 第18-31页 |
| 2．1 通用电荷薄层模型 | 第18-22页 |
| 2．2 MOSFET反型层的三个区域 | 第22-29页 |
| 2．3 本章小结 | 第29-31页 |
| 第三章 MOS晶体管的大信号建模 | 第31-44页 |
| 3．1 概述 | 第31页 |
| 3．2 准静态工作的本征电荷和电容 | 第31-40页 |
| 3．3 非准静态建模 | 第40-44页 |
| 第四章 MOSFET低频和中频的小信号建模 | 第44-60页 |
| 4．1 概述 | 第44页 |
| 4．2 本征部分的低频小信号模型 | 第44-49页 |
| 4．3 本征部分的中频小信号模型 | 第49-55页 |
| 4．4 非本征部分的小信号建模 | 第55-58页 |
| 4．5 本章小结 | 第58-60页 |
| 第五章 MOSFET的高频小信号建模 | 第60-67页 |
| 5．1 概述 | 第60页 |
| 5．2 完整的准静态模型 | 第60-64页 |
| 5．3 电容的计算 | 第64-65页 |
| 5．4 模型适用的频率范围 | 第65-66页 |
| 5．5 本章小结 | 第66-67页 |
| 第六章 模型的正确性 | 第67-71页 |
| 6．1 概述 | 第67页 |
| 6．2 模型物理基础的正确性 | 第67页 |
| 6．3 推导过程中假设的合理性 | 第67-69页 |
| 6．4 推导结果的正确性 | 第69-70页 |
| 6．5 本章小结 | 第70-71页 |
| 第七章 结束语 | 第71-75页 |
| 7．1 本文总结及创新之处 | 第71页 |
| 7．2 沟道形状的影响 | 第71-74页 |
| 7．3 进一步工作的建议 | 第74-75页 |
| 参考文献 | 第75-78页 |
| 致谢 | 第78页 |
