| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 1 绪论 | 第8-14页 |
| ·功率MOSFET特点及其发展 | 第8-9页 |
| ·SJ MOSFET的发展和国内外研究状况 | 第9-12页 |
| ·SJ MOSFET结构的提出 | 第9-10页 |
| ·SJ MOSFET结构的发展 | 第10-11页 |
| ·SJ MOSFET工艺技术的发展 | 第11-12页 |
| ·SJ MOSFET的派生器件 | 第12页 |
| ·SJ MOSFET的应用前景及研究意义 | 第12-13页 |
| ·本文主要工作 | 第13-14页 |
| 2 SJ MOSFET的结构特点及基本特性 | 第14-20页 |
| ·SJ MOSFET的结构类型和特点 | 第14-15页 |
| ·SJ MOSFET的分类 | 第14-15页 |
| ·超结(SJ)及其特点 | 第15页 |
| ·SJ MOSFET的基本特性 | 第15-18页 |
| ·击穿电压 | 第16页 |
| ·导通电阻 | 第16-17页 |
| ·输入电容与输出电容 | 第17-18页 |
| ·SJ MOSFET的等效电路 | 第18-19页 |
| 本章小结 | 第19-20页 |
| 3 SJ MOSFET的特性分析与工艺模拟 | 第20-42页 |
| ·SJ的击穿机理与特性分析 | 第20-29页 |
| ·SJ的击穿机理分析 | 第20-25页 |
| ·影响SJ击穿特性的关键因素 | 第25-26页 |
| ·电荷非平衡因素对击穿电压的影响 | 第26-29页 |
| ·SJ MOSFET的特性分析 | 第29-33页 |
| ·阻断特性分析 | 第29-31页 |
| ·导通特性分析 | 第31-32页 |
| ·开关特性分析 | 第32-33页 |
| ·SJ MOSFET的设计 | 第33-36页 |
| ·导通电阻最小 | 第33-34页 |
| ·工艺成本最低 | 第34-35页 |
| ·两种方案的比较 | 第35-36页 |
| ·SJ MOSFET的工艺模拟 | 第36-41页 |
| ·SJ MOSFET的工艺分析 | 第36页 |
| ·p基区和源区的模拟 | 第36-37页 |
| ·超结的工艺模拟 | 第37-39页 |
| ·模拟结果验证及分析 | 第39-41页 |
| 本章小结 | 第41-42页 |
| 4 Semi-SJ MOSFET的特性分析与设计 | 第42-49页 |
| ·Semi-SJ MOSFET的结构特点 | 第42页 |
| ·Semi-SJ MOSFET的特性分析 | 第42-45页 |
| ·Semi-SJ MOSFET的阻断特性分析 | 第43-44页 |
| ·Semi-SJ MOSFET的导通特性分析 | 第44-45页 |
| ·关键结构参数的设计 | 第45-48页 |
| ·外延层总厚度保持不变的设计 | 第45-46页 |
| ·外延层总厚度变化的设计 | 第46-47页 |
| ·关键结构参数的提取 | 第47-48页 |
| ·Semi-SJ MOSFET的工艺分析 | 第48页 |
| 本章小结 | 第48-49页 |
| 5 氧化物填充的扩展沟槽栅SJ MOSFET的特性与工艺分析 | 第49-56页 |
| ·器件结构及特点 | 第49页 |
| ·器件的性能分析 | 第49-51页 |
| ·击穿电压 | 第50页 |
| ·导通电阻 | 第50页 |
| ·输入电容 | 第50-51页 |
| ·输出电容 | 第51页 |
| ·特性模拟及其结果分析 | 第51-53页 |
| ·阻断特性分析 | 第51-52页 |
| ·通态特性分析 | 第52页 |
| ·开关特性分析 | 第52-53页 |
| ·工艺分析 | 第53-55页 |
| ·工艺方法 | 第53-54页 |
| ·工艺模拟 | 第54-55页 |
| ·工艺流程 | 第55页 |
| 本章小结 | 第55-56页 |
| 6 结论 | 第56-57页 |
| 致谢 | 第57-58页 |
| 参考资料 | 第58-61页 |
| 附录：在读期间发表的论文与专利申请 | 第61页 |