并五苯性质的研究及其场效应晶体管的研制
摘要 | 第1-6页 |
Abstract | 第6-8页 |
目录 | 第8-11页 |
插图索引 | 第11-13页 |
符号对照表 | 第13-14页 |
第一章 绪论 | 第14-50页 |
·引言 | 第14-15页 |
·有机电子学概况 | 第15页 |
·有机电子学的定义 | 第15页 |
·有机电子学的范畴 | 第15页 |
·有机电子器件研究进展与概况 | 第15-24页 |
·有机电子器件的类型 | 第17页 |
·有机发光器件 | 第17-20页 |
·有机单分子器件 | 第20-22页 |
·用纳米管制备的晶体管 | 第22页 |
·单分子整流器 | 第22页 |
·有机传感器 | 第22-24页 |
·有机场效应晶体管的发展概况 | 第24-31页 |
·并五苯薄膜场效应晶体管的研究进展 | 第31-32页 |
·有机薄膜的制备工艺 | 第32-33页 |
·当前OFET研究中存在的主要问题 | 第33-36页 |
·载流子迁移率尚需提高 | 第33-34页 |
·应用研究亟待加强 | 第34-35页 |
·载流子传输理论有待加强 | 第35-36页 |
·本文主要研究的内容 | 第36-37页 |
参考文献 | 第37-50页 |
第二章 并五苯的性质及溶液制备工艺的研究 | 第50-60页 |
·并五苯的理化性质 | 第50-52页 |
·并五苯薄膜的制备方法 | 第52页 |
·并五苯的溶解及其薄膜性能的表征 | 第52-57页 |
·实验 | 第53页 |
·测试及结果分析 | 第53-57页 |
·结论 | 第57页 |
·本章小结 | 第57-58页 |
参考文献 | 第58-60页 |
第三章 OFETs的器件结构及材料 | 第60-80页 |
·OFETs的器件结构 | 第60-63页 |
·顶栅极结构 | 第60-61页 |
·顶电极结构 | 第61页 |
·底电极结构 | 第61-62页 |
·有机单晶场效应晶体管的结构 | 第62-63页 |
·OFETs的主要材料 | 第63-73页 |
·有机半导体材料 | 第63-67页 |
·并五苯 | 第67-68页 |
·高分在半导体 | 第68-69页 |
·绝缘层材料 | 第69-71页 |
·无机绝缘材料 | 第70页 |
·有机绝缘材料 | 第70-71页 |
·电极材料 | 第71-72页 |
·衬底材料 | 第72-73页 |
·本章小结 | 第73页 |
参考文献 | 第73-80页 |
第四章 有机场效应晶体管的工作原理 | 第80-102页 |
·有机半导体载流子传输理论 | 第80-85页 |
·定域态、扩展态与跳跃式传输 | 第80-81页 |
·有机半导体中电荷传输机制 | 第81-85页 |
·小极化子模型 | 第81-83页 |
·依赖电场的迁移率 | 第83-84页 |
·多重俘获与释放模型 | 第84-85页 |
·晶界俘获模型 | 第85页 |
·金属/有机半导体接触 | 第85-87页 |
·热发射注入 | 第85-86页 |
·隧穿注入 | 第86页 |
·空间电荷限制电流和陷阱电荷限制电流模型 | 第86-87页 |
·有机半导体的导电类型 | 第87-89页 |
·OFETs的工作原理 | 第89-92页 |
·OFETs的电流-电压特性 | 第92-94页 |
·OFETs的接触电阻 | 第94页 |
·接触电阻产生的原因分析 | 第94-96页 |
·本章小结 | 第96页 |
参考文献 | 第96-102页 |
第五章 并五苯的合成及其OFETs器件的研制 | 第102-116页 |
·并五苯的合成与表征 | 第102-106页 |
·并五苯的合成 | 第102-103页 |
·pentacenequinone的合成 | 第103页 |
·pentacene的合成 | 第103页 |
·并五苯的表征 | 第103-106页 |
·合成并五苯的红外光谱 | 第104页 |
·合成并五苯的质朴 | 第104-105页 |
·合成并五苯的元素分析 | 第105页 |
·并五苯的紫外-可见吸收光谱 | 第105-106页 |
·并五苯有机场效应晶体管的制备与表征 | 第106-111页 |
·并五苯有机场效应晶体管的制备 | 第106-107页 |
·并五苯有机场效应晶体管的表征 | 第107-109页 |
·并五苯场效应晶体管的特性曲线 | 第109-111页 |
·以聚酰亚胺为绝缘层的全有机场效应晶体管 | 第111-113页 |
·实验步骤 | 第112页 |
·实验结果 | 第112-113页 |
·本章小结 | 第113-114页 |
参考文献 | 第114-116页 |
第六章 结论与展望 | 第116-119页 |
·结论 | 第116-117页 |
·展望 | 第117-119页 |
致谢 | 第119-120页 |
研究成果 | 第120页 |