| 第一章 绪论 | 第1-13页 |
| §1．1 SDE MOS器件结构及可靠性研究的重要性及研究现状 | 第10-11页 |
| §1．2 本论文的主要研究工作及意义 | 第11-13页 |
| 第二章 工具与方法 | 第13-19页 |
| §2．1 模拟工具简介 | 第13-15页 |
| §2．2 模型与器件结构参数的选择 | 第15-17页 |
| §2．2．1 模型的选择 | 第15页 |
| §2．2．2 器件结构参数的选择 | 第15-17页 |
| §2．3 测试工具简介 | 第17-18页 |
| §2．4 本章小结 | 第18-19页 |
| 第三章 SDE MOS器件结构研究 | 第19-31页 |
| §3．1 器件尺寸减小面临的挑战 | 第19-22页 |
| §3．1．1 短沟道效应 | 第19-21页 |
| §3．1．2 热载流子效应 | 第21-22页 |
| §3．2 常规MOS器件面临的挑战 | 第22-24页 |
| §3．3 SDE MOS器件介绍 | 第24-28页 |
| §3．3．1 SDE结构对短沟道效应的改善 | 第24-26页 |
| §3．3．2 轻掺杂SDE结构对热载流子效应的改善 | 第26页 |
| §3．3．3 轻掺杂SDE结构存在的不足 | 第26-28页 |
| §3．4 提高SDE区掺杂浓度对器件性能的改善 | 第28-30页 |
| §3．5 本章小结 | 第30-31页 |
| 第四章 SDE NMOS器件的热载流子退化 | 第31-43页 |
| §4．1 实验的建立 | 第31-33页 |
| §4．1．1 应力测试方案 | 第32页 |
| §4．1．2 器件特性的测量与分析方法 | 第32-33页 |
| §4．2 SDE NMOS与常规NMOS退化特性对比 | 第33-36页 |
| §4．3 SDE NMOS退化特性的内因 | 第36-39页 |
| §4．4 SDE NMOS退化特性的物理解释 | 第39页 |
| §4．5 SDE MOS器件热载流子退化的评估方法 | 第39-41页 |
| §4．5．1 SDE MOS器件的热载流子效应表征量 | 第40页 |
| §4．5．2 SDE MOS器件I—V特性测试退化判据的选择 | 第40-41页 |
| §4．6 本章小结 | 第41-43页 |
| 第五章 SDE MOS器件的可靠性设计 | 第43-54页 |
| §5．1 掺杂浓度对产生的界面态的影响 | 第43-45页 |
| §5．2 不同掺杂浓度SDE MOS器件的热载流子退化 | 第45-51页 |
| §5．2．1 掺杂浓度对热载流子退化特性的影响 | 第45-49页 |
| §5．2．2 界面态分布区域对热载流子退化特性的影响 | 第49-51页 |
| §5．3 SDE MOS器件退化的简单模型 | 第51-53页 |
| §5．4 本章小结 | 第53-54页 |
| 第六章 结束语 | 第54-55页 |
| 致谢 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-59页 |
| 成果 | 第59页 |
