当前位置：
首页
--
工业技术
--
无线电电子学、电信技术
--
半导体技术
--
场效应器件
CCD器件的特性评价及其驱动和数据采集电路设计
基于数值模拟的LDMOS解析模型
低压低功耗Halo MOSFET的分析与设计
高压LDMOS器件的设计与应用
CCD细分技术及其应用研究
场效应管高压宽脉宽双快沿脉冲源技术研究
功率MOSFET低温特性研究
基于导电聚合物改良的有机电致发光器件的研究
基于半导体薄膜型磁阻元件电流开关的研究
并五苯薄膜场效应晶体管的研制
CN-PPV：合成、光学性质、缺陷态研究
有机电致发光器件的界面性能及激子复合特性的研究
可见光CCD的激光辐照效应实验研究
有机电致发光器件中载流子输运特性的研究
有机场效应管的制作及特性研究
纵向多面栅MOSFET的器件设计与技术研究
MOSFET失配的研究及应用--高性能CMOS电荷泵的设计
酞菁铜有机场效应晶体管器件性能的研究
高分辨力长线阵CCD驱动与信号提取技术研究
碳化硅场效应器件的模型及关键工艺技术研究
4H-SiC隐埋沟道MOSFET理论和实验研究
应变SiGe/Si异质结CMOS关键技术研究
Si1-xGexMOSFETs模拟技术研究
4H-SiC埋沟MOSFET的特性模拟研究
亚100nm SOIMOSFET器件新结构及其性能研究
砷化镓射频功率MESFET大信号模型研究
功率MOSFET应用研究及主电路设计
用于光锥与CCD耦合系统的基于算子融合的自动对焦技术
低压功率VDMOSFET参数优化及栅电荷研究
单色有机电致发光器件的设计与制备
高耐压功率GaAs MESFET的研究与制备
白光LED驱动电路的研究及其电路的设计
新型有机电致发光器件及其载流子调控机理研究
基于PECVD工艺的硅基光致和电致发光器件研制
SOI MOSFET的高频特性研究
SOI MOSFET静态特性研究
深亚微米/纳米V-SOI MOSFET的建模与模拟
有机电致发光器件的研究及优化设计
机载三线阵CCD传感器成像机理及影像模拟研究
RSD在脉冲电源领域中的应用
色散管理时分复用系统扰动的影响及抑制
动态变频正弦光栅测量CCD调制传递函数处理系统的研究
三沟道BCCD在近红外光区光电特性的数值模拟
AMOLED的驱动控制电路设计
CCD挠度测量系统的研究
激光辐照可见光面阵Si-CCD探测器实验研究
一种双CCD测角仪的参数检测方法研究
提高功率器件整体性能的研究
半导体发光器件的负电容与高速调制
短沟道MOST温度特性的建模
上一页
[28]
[29]
[30]
[31]
[32]
下一页
