| 中文摘要 | 第1-4页 |
| 英文摘要 | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-13页 |
| 1．1 SPIC研究现状与发展 | 第8-10页 |
| 1．2 SPIC基本组成 | 第10-11页 |
| 1．3 本文主要工作 | 第11-13页 |
| 第二章 驱动电路设计 | 第13-38页 |
| 2．1 电路结构与工作原理 | 第13-16页 |
| 2．1．1 电路总体结构设计 | 第13-15页 |
| 2．1．2 工作原理 | 第15-16页 |
| 2．2 接口电路设计 | 第16-18页 |
| 2．3 功率控制电路设计 | 第18-29页 |
| 2．3．1 高低端驱动信号死区产生电路 | 第19-20页 |
| 2．3．2 高端驱动信号电平位移 | 第20-27页 |
| 2．3．3 低端驱动信号延迟电路 | 第27页 |
| 2．3．4 高低端驱动信号输出电路 | 第27-29页 |
| 2．4 监测与保护电路设计 | 第29-34页 |
| 2．4．1 电流采样与比较电路 | 第30-31页 |
| 2．4．2 欠压检测与保护电路 | 第31-33页 |
| 2．4．3 清零信号产生电路 | 第33页 |
| 2．4．4 错误逻辑控制电路 | 第33-34页 |
| 2．5 驱动电路的典型应用 | 第34-38页 |
| 2．5 本章小结 | 第36-38页 |
| 第三章 高压LDMOS器件的研制 | 第38-58页 |
| 3．1 概述 | 第38-42页 |
| 3．2 厚外延层高压器件研究 | 第42-49页 |
| 3．2．1 器件结构 | 第42-43页 |
| 3．2．2 P埋层长度与外延层浓度的选取 | 第43-44页 |
| 3．2．3 降场层与击穿电压的关系 | 第44-48页 |
| 3．2．4 界面电荷对击穿电压的影响 | 第48-49页 |
| 3．3 薄外延层高压器件研究 | 第49-57页 |
| 3．3．1 N埋层结构 | 第50-52页 |
| 3．3．2 N埋层的长度与注入剂量对击穿电压的影响 | 第52-54页 |
| 3．3．3 降场层掺杂剂量对器件击穿电压的影响 | 第54-55页 |
| 3．3．4 两种器件特性比较 | 第55-57页 |
| 3．4 本章小结 | 第57-58页 |
| 第四章 工艺与版图设计 | 第58-64页 |
| 4．1 高低压兼容工艺设计 | 第58-61页 |
| 4．1．1 兼容工艺设计 | 第58-60页 |
| 4．1．2 高低压兼容工艺流程 | 第60-61页 |
| 4．2 版图设计 | 第61-63页 |
| 4．2．1 版图设计规则的制定 | 第61-62页 |
| 4．2．2 高压器件与驱动电路版图 | 第62-63页 |
| 4．3 本章小结 | 第63-64页 |
| 第五章 测试结果与分析 | 第64-73页 |
| 5．1 器件测试结果 | 第64-67页 |
| 5．1．1 高压器件测试 | 第64-66页 |
| 5．1．2 低压器件测试 | 第66-67页 |
| 5．2 电路测试结果 | 第67-72页 |
| 5．2．1 单元电路测试 | 第67-68页 |
| 5．2．2 整体电路测试 | 第68-70页 |
| 5．2．3 典型应用 | 第70-72页 |
| 5．3 本章小结 | 第72-73页 |
| 第六章 结论 | 第73-75页 |
| 参考文献 | 第75-79页 |
| 致谢 | 第79页 |