| 第一章 绪论 | 第1-12页 |
| §1．1 碳化硅材料的优势及其研究意义 | 第8-10页 |
| §1．2 n沟碳化硅MOSFET进展情况及存在的主要问题 | 第10-11页 |
| §1．3 本文的主要工作 | 第11-12页 |
| 第二章 碳化硅材料特性 | 第12-17页 |
| §2．1 碳化硅的晶体结构 | 第12-13页 |
| 2．1．1 碳化硅的结构 | 第12页 |
| 2．1．2 碳化硅多型体 | 第12页 |
| 2．1．3 SiC晶体中的不对称点 | 第12-13页 |
| §2．2 本征载流子浓度及其与温度的关系 | 第13-14页 |
| §2．3 碳化硅体材料中杂质的离化率 | 第14-16页 |
| 2．3．1 有效载流子浓度的多级离化模型 | 第14-15页 |
| 2．3．2 P型6H-SiC的杂质离化率 | 第15-16页 |
| §2．4 本章小结 | 第16-17页 |
| 第三章 SiC MOS结构电特性的分析 | 第17-23页 |
| §3．1 MOS表面空间电荷区的数值分析 | 第17-20页 |
| §3．2 MOS结构的C-V特性 | 第20-22页 |
| §3．3 本章小结 | 第22-23页 |
| 第四章 界面态电荷对n沟SiC MOSFET器件特性的影响 | 第23-36页 |
| §4．1 界面态 | 第23-25页 |
| 4．1．1 有关界面态的基本概念 | 第23-24页 |
| 4．1．2 界面态在禁带中的分布 | 第24-25页 |
| §4．2 界面态电荷对阈值电压的影响 | 第25-27页 |
| §4．3 界面态电荷对漏电流和跨导的影响 | 第27-29页 |
| §4．4 界面态电荷对场效应迁移率的影响 | 第29-35页 |
| 4．4．1 迁移率 | 第29-30页 |
| 4．4．2 界面电荷影响反型层迁移率 | 第30页 |
| 4．4．3 界面电荷影响场效应迁移率 | 第30-35页 |
| §4．5 本章小结 | 第35-36页 |
| 第五章 3UCVD方法制备栅氧化层 | 第36-44页 |
| §5．1 3UCVD简介 | 第36-37页 |
| 5．1．1 概述 | 第36页 |
| 5．1．2 光化学反应 | 第36-37页 |
| §5．2 设备情况 | 第37-39页 |
| §5．3 工艺实验 | 第39-41页 |
| §5．4 高频C-V测量 | 第41-43页 |
| 5．4．1 高频C-V特性测量原理 | 第41页 |
| 5．4．2 影响测试的几个因素 | 第41-42页 |
| 5．4．3 衬底水接触的测量结果 | 第42页 |
| 5．4．4 顶部接触的测试结构 | 第42-43页 |
| §5．5 本章小结 | 第43-44页 |
| 结束语 | 第44-45页 |
| 致谢 | 第45-46页 |
| 参考文献 | 第46-49页 |
| 攻读硕士期间的研究成果 | 第49页 |