| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-23页 |
| ·研究背景 | 第11-14页 |
| ·SiC材料研究的推动力及其性质 | 第11-13页 |
| ·主要SiC基器件 | 第13-14页 |
| ·SiC基器件应用优势 | 第14页 |
| ·4H-SiC MESFET 器件 | 第14-16页 |
| ·国内外相关研究状况及存在的问题 | 第16-20页 |
| ·国内外的研究现状 | 第16-19页 |
| ·需要解决的问题 | 第19-20页 |
| ·本论文主要的研究工作和创新点 | 第20-23页 |
| 第二章 4H-SiC MESFET 直流大信号电流-电压模型 | 第23-43页 |
| ·4H-SiC MESFET 大信号等效电路 | 第23-27页 |
| ·器件基本结构 | 第23页 |
| ·大信号等效电路 | 第23-25页 |
| ·等效电路的参数提取 | 第25-27页 |
| ·基于物理且适合CAD应用的准解析模型 | 第27-33页 |
| ·精确经验漏电流模型 | 第33-41页 |
| ·小结 | 第41-43页 |
| 第三章 4H-SiC MESFET 大信号电容模型 | 第43-63页 |
| ·基于物理推导的大信号电容解析模型 | 第43-49页 |
| ·4H-SiC MESFET 电荷守恒经验电容模型 | 第49-51页 |
| ·4H-SiC MESFET 精确经验大信号电容模型 | 第51-55页 |
| ·4H-SiC MESFET 大信号经验模型的应用 | 第55-57页 |
| ·4H-SiC MESFET 大信号 CAD 模型的 ADS 实现 | 第57-62页 |
| ·符号定义器件SDD模块简介 | 第57-60页 |
| ·4H-SiC MESFET大信号模型在SDD中的实现 | 第60-62页 |
| ·小结 | 第62-63页 |
| 第四章 4H-SiC MESFET 的自热效应和短沟道效应 | 第63-83页 |
| ·适用电路设计的 4H-SiC MESFET 自热效应模型 | 第63-73页 |
| ·4H-SiC MESFET 的 DIBL 效应模型 | 第73-81页 |
| ·小结 | 第81-83页 |
| 第五章 4H-SiC MESFET 器件特性测试 | 第83-97页 |
| ·直流I-V特性测试 | 第83-87页 |
| ·4H-SiC MESFET 的高频小信号特性测试 | 第87-93页 |
| ·4H-SC MESFET射频大信号性能测试 | 第93-96页 |
| ·小结 | 第96-97页 |
| 第六章 结束语 | 第97-99页 |
| 致谢 | 第99-100页 |
| 参考文献 | 第100-117页 |
| 研究成果 | 第117-118页 |
| 在攻读博士学位期间获得荣誉 | 第118-119页 |
