| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 1 绪论 | 第9-15页 |
| ·引言 | 第9页 |
| ·Si/SiGe应变技术 | 第9-11页 |
| ·Si/SiGe应变技术的特点 | 第9-10页 |
| ·Si/SiGe应变技术的国内外研究状况 | 第10-11页 |
| ·多栅技术 | 第11-13页 |
| ·多栅技术的特点 | 第11-12页 |
| ·多栅技术的国内外研究现状 | 第12-13页 |
| ·本文的研究意义和主要工作 | 第13-15页 |
| 2 物理模型 | 第15-29页 |
| ·应变Si/SiGe的物理模型 | 第15-19页 |
| ·Si/SiGe应变材料的晶格结构 | 第15-16页 |
| ·应变Si物理模型 | 第16-17页 |
| ·应变SiGe物理模型 | 第17-19页 |
| ·双栅MOSFET的物理模型 | 第19-28页 |
| ·P~+-P~+双栅MOSFET模型 | 第19-21页 |
| ·N~+-P~+双栅MOSFET模型 | 第21-28页 |
| ·本章小结 | 第28-29页 |
| 3 双栅双应变沟道全耗尽SOI MOSFET新结构 | 第29-45页 |
| ·器件结构及工作原理 | 第29-30页 |
| ·单栅模式下器件特性的模拟分析 | 第30-37页 |
| ·单栅模式的单管静态特性 | 第31-35页 |
| ·单栅模式的CMOS瞬态特性 | 第35-37页 |
| ·应变Si/应变SiGe MOSFET的优化 | 第37-44页 |
| ·Ge组分对器件特性的影响 | 第37-42页 |
| ·背栅偏压对器件特性的影响 | 第42-43页 |
| ·PMOS顶栅与底栅控制机制的比较 | 第43-44页 |
| ·本章小结 | 第44-45页 |
| 4 双栅模式下器件特性的模拟分析 | 第45-55页 |
| ·器件工作原理 | 第45页 |
| ·双栅工作模式的优越性 | 第45-50页 |
| ·单管特性 | 第46-49页 |
| ·CMOS特性 | 第49-50页 |
| ·双栅应变沟道与体硅沟道器件的分析比较 | 第50-54页 |
| ·双栅模式的单管静态特性 | 第50-53页 |
| ·双栅模式的CMOS瞬态特性 | 第53-54页 |
| ·本章小结 | 第54-55页 |
| 5 新结构的工艺实现 | 第55-65页 |
| ·国内外应变沟道器件及相关工艺 | 第55-60页 |
| ·应变Si沟道NMOS的结构和工艺 | 第55-56页 |
| ·应变SiGe沟道PMOS的结构和工艺 | 第56-57页 |
| ·应变Si/SiGe双沟道器件的结构和工艺 | 第57-60页 |
| ·国内外双栅器件及工艺 | 第60-62页 |
| ·新结构工艺实现流程 | 第62-64页 |
| ·本章小结 | 第64-65页 |
| 6 结论与展望 | 第65-67页 |
| ·结论 | 第65-66页 |
| ·展望 | 第66-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-73页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第73页 |