| 第一章 绪论 | 第1-9页 |
| 第二章 MOS器件中的热载流子效应 | 第9-24页 |
| 2．1 集成电路的可靠性评估和设计 | 第9-11页 |
| 2．2 MOS器件中的热载流子效应 | 第11-14页 |
| 2．3 深亚微米MOS器件中的热载流子效应 | 第14-15页 |
| 2．4 动态应力下MOSFET的热载流子效应 | 第15-17页 |
| 2．5 热载流子效应的测量和表征技术 | 第17-24页 |
| 第三章 nMOS器件衬底电流和沟道电流的分布建模 | 第24-43页 |
| 3．1 幸运热载流子模型 | 第25-28页 |
| 3．2 沟道电流和衬底电流的二维分布建模 | 第28-35页 |
| 3．3 沟道电流和衬底电流二维分布模型的计算与比较 | 第35-43页 |
| 第四章 nMOS器件栅电流的分布建模 | 第43-60页 |
| 4．1 建立发射电流和栅电流分布模型的必要性 | 第43-45页 |
| 4．2 nMOS器件电子栅电流的分布建模 | 第45-49页 |
| 4．3 nMOS器件空穴栅电流的分布建模 | 第49-52页 |
| 4．4 模型涉及参量的修正与选择 | 第52-54页 |
| 4．5 栅电流分布模型的计算与讨论 | 第54-60页 |
| 第五章 热载流子效应诱生的nMOS器件损伤模型研究 | 第60-75页 |
| 5．1 破键电流引起的界面态产生 | 第60-65页 |
| 5．2 发射电流注入栅氧的退化模型 | 第65-71页 |
| 5．3 交替应力下的器件退化机制 | 第71-75页 |
| 第六章 深亚微米槽栅MOS器件热载流子效应研究 | 第75-88页 |
| 6．1 槽栅器件的拐角效应及其影响 | 第76-78页 |
| 6．2 槽栅器件的电流-电压特性 | 第78-82页 |
| 6．3 槽栅器件的工艺和结构 | 第82-83页 |
| 6．4 槽栅器件中的热载流子效应 | 第83-88页 |
| 第七章 模拟器件中的热载流子效应研究 | 第88-99页 |
| 7．1 热载流子效应对器件模拟参数的影响及其特点 | 第88-90页 |
| 7．2 实验设置与技术 | 第90-93页 |
| 7．3 nMOS器件模拟参数退化与界面态之间的关系 | 第93-99页 |
| 结 论 | 第99-102页 |
| 致 谢 | 第102-103页 |
| 参考文献 | 第103-111页 |
| 成 果 | 第111-112页 |
