MOS器件总剂量辐射加固技术研究
| 第一章 绪论 | 第1-12页 |
| §1．1 总剂量辐射加固应用背景 | 第7页 |
| §1．2 总剂量辐射效应的回顾 | 第7-9页 |
| §1．3 总剂量辐射效应研究的应用展望 | 第9-12页 |
| 第二章 总剂量辐射效应的基本理论 | 第12-25页 |
| §2．1 概论 | 第12-14页 |
| §2．2 氧化物陷阱电荷特性 | 第14-19页 |
| §2．3 SiO_2/Si界面陷阱电荷特性 | 第19-22页 |
| §2．4 氧化物陷阱与界面陷阱电荷相关性 | 第22-23页 |
| §2．5 “负氧化物陷阱电荷” | 第23-25页 |
| 第三章 总剂量辐射效应的研究方法 | 第25-39页 |
| §3．1 二端MOS电容 | 第25-33页 |
| §3．2 四端MOSFET | 第33-37页 |
| §3．3 高电场应力 | 第37页 |
| §3．4 MOSFET与MOS电容之间的差异 | 第37-39页 |
| 第四章 工艺过程对总剂量辐射效应的影响 | 第39-53页 |
| §4．1 工艺设计考虑 | 第39-42页 |
| §4．2 H-O合成栅氧方式 | 第42-48页 |
| §4．3 干氧栅氧方式 | 第48-49页 |
| §4．4 掺氟栅氧化方式 | 第49-50页 |
| §4．5 三种栅氧化方式的比较 | 第50-53页 |
| 第五章 54HC10RH门电路的研制 | 第53-57页 |
| §5．1 电路描述 | 第53-54页 |
| §5．2 电路版图及剖面结构 | 第54-55页 |
| §5．3 辐射结果 | 第55-57页 |
| 第六章 高场应力对MOS管阈值电压的影响 | 第57-61页 |
| §6．1 测试方法及系统 | 第57-58页 |
| §6．2 测试结果 | 第58-61页 |
| 第七章 简单逻辑门的抗辐射设计 | 第61-64页 |
| 第八章 结论 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65页 |
| 参考文献 | 第65-69页 |
