| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-11页 |
| ·研究背景 | 第7页 |
| ·研究目的和意义 | 第7-10页 |
| ·研究现状与主要问题 | 第7-9页 |
| ·无损评价意义 | 第9页 |
| ·实现无损评价需解决的关键问题 | 第9-10页 |
| ·论文主要工作和结构 | 第10-11页 |
| 第二章 功率MOS 器件中的1/f 噪声及其辐照效应 | 第11-21页 |
| ·功率 MOS 器件的结构与原理 | 第11-12页 |
| ·功率 MOS 器件中的1/f 噪声产生机理和表征模型 | 第12-16页 |
| ·功率 MOS 器件的1/f 噪声产生机理 | 第12-13页 |
| ·载流子数涨落模型 | 第13-15页 |
| ·迁移率涨落模型 | 第15-16页 |
| ·功率 MOS 辐照损伤基础 | 第16-21页 |
| ·功率MOS 器件的电离辐照损伤机理 | 第16-17页 |
| ·功率MOS 器件的电离辐照效应 | 第17-21页 |
| 第三章 辐照实验、模型及方法 | 第21-43页 |
| ·功率MOS 器件噪声测试平台 | 第21-23页 |
| ·噪声测试平台的构成 | 第21-22页 |
| ·功率MOS 器件噪声测试偏置电路 | 第22-23页 |
| ·功率 MOS 器件电离辐照实验 | 第23-33页 |
| ·辐照后电参数的变化 | 第24-29页 |
| ·辐照后1/f 噪声参数的变化 | 第29-30页 |
| ·1/f 噪声表征的可行性分析 | 第30-33页 |
| ·功率MOS 器件抗辐照能力无损评价模型 | 第33-39页 |
| ·建立模型 | 第33-38页 |
| ·模型验证 | 第38-39页 |
| ·功率 MOS 器件抗辐照能力无损评价实施步骤 | 第39-43页 |
| ·无损评价的基本过程 | 第39-40页 |
| ·具体实施步骤 | 第40-43页 |
| 第四章 功率 MOS 器件抗辐照评价方法的应用 | 第43-53页 |
| ·功率MOS 器件与DC-DC 电源 | 第43-44页 |
| ·DC-DC 电源工作原理 | 第43页 |
| ·功率 MOS 器件辐照退化对 DC-DC 电源的影响 | 第43-44页 |
| ·基于功率MOS 的DC-DC 评价方法 | 第44-46页 |
| ·基于功率MOS 器件的DC-DC 电源预兆单元初探 | 第46-53页 |
| ·功率 MOS 器件预兆单元基本设计 | 第46-49页 |
| ·效果仿真 | 第49-53页 |
| 第五章 研究工作总结 | 第53-55页 |
| ·论文结论与工作 | 第53-54页 |
| ·展望 | 第54-55页 |
| 致谢 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-60页 |
| 作者在读期间的研究成果 | 第60-61页 |
