| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-13页 |
| ·SiC 垂直功率器件的国内外发展现状 | 第9-10页 |
| ·SiC 垂直功率器件的研究意义 | 第10-11页 |
| ·本文的研究内容 | 第11-13页 |
| 第二章 SiC 垂直功率器件基础 | 第13-37页 |
| ·SiC 材料基础 | 第13-16页 |
| ·SiC 材料特性 | 第13-15页 |
| ·SiC 材料的制备 | 第15-16页 |
| ·SiC 器件基础 | 第16-24页 |
| ·SiC 器件的特点 | 第16-17页 |
| ·SiC 器件工艺 | 第17-20页 |
| ·SiC 器件工艺存在的问题 | 第20-21页 |
| ·SiC 器件的应用前景与范围 | 第21-24页 |
| ·垂直功率MOSFET 的结构类型 | 第24-27页 |
| ·VVMOS 结构 | 第24-25页 |
| ·VDMOS 结构及特点 | 第25-26页 |
| ·UMOSFET 结构 | 第26-27页 |
| ·垂直功率MOSFET 的工作原理 | 第27-28页 |
| ·垂直功率MOSFET 的电参数 | 第28-36页 |
| ·静态参数 | 第29-31页 |
| ·动态参数 | 第31-34页 |
| ·极限参数 | 第34-36页 |
| ·小结 | 第36-37页 |
| 第三章 几种先进的SiC 垂直功率MOSFET | 第37-47页 |
| ·双外延结构 | 第37-39页 |
| ·TI~2MOSFET（三重注入MOSFET）结构 | 第39-41页 |
| ·积累沟道（ACCUFET）结构 | 第41-42页 |
| ·静电感应积累（SIAFET）结构 | 第42-44页 |
| ·双缓冲层结构 | 第44-45页 |
| ·本章小结 | 第45-47页 |
| 第四章 SiC 垂直功率MOSFET 设计 | 第47-59页 |
| ·SiC VDMOS 结构设计 | 第47-54页 |
| ·器件结构 | 第47-48页 |
| ·器件材料的选择 | 第48-52页 |
| ·器件的性能影响因素分析 | 第52-54页 |
| ·4H-SiC UMOSFET 设计 | 第54-58页 |
| ·4H-SiC UMOSFET 的优势 | 第54页 |
| ·4H-SiC UMOS 结构设计 | 第54-55页 |
| ·4H-SiC UMOS 结构特性仿真与分析 | 第55-56页 |
| ·4H-SiC UMOS 结构特性影响因素分析 | 第56-57页 |
| ·4H-SiC UMOS 结构的性能局限 | 第57-58页 |
| ·本章小结 | 第58-59页 |
| 第五章 工作总结与展望 | 第59-61页 |
| ·本文工作总结 | 第59页 |
| ·课题展望 | 第59-61页 |
| 致谢 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-67页 |
| 作者在硕士期间参加的课题和发表的论文 | 第67-68页 |