| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 概述 | 第7-12页 |
| ·体硅MOS 的发展现状 | 第7-8页 |
| ·SOI MOSFET 的发展 | 第8-11页 |
| ·SOI MOSFET 的分类 | 第8-9页 |
| ·背栅效应 | 第9页 |
| ·短沟道效应 | 第9页 |
| ·浮体效应 | 第9-10页 |
| ·自加热效应 | 第10页 |
| ·SOI MOSFET 电路的特点 | 第10-11页 |
| ·深亚微米SOI 器件模型面临的问题 | 第11页 |
| ·本课题研究的目的和意义 | 第11-12页 |
| 第二章 SOI 材料制备技术 | 第12-16页 |
| ·SOI 材料的发展 | 第12页 |
| ·SOI 的主要制备工艺 | 第12-16页 |
| ·键合再减薄(BESOI)技术 | 第13页 |
| ·注氧隔离(SIMOX)技术 | 第13页 |
| ·Smart-Cut 技术 | 第13-14页 |
| ·外延层转移( ELTRAN)技术 | 第14页 |
| ·NanoCleave~(TM) 技术 | 第14-16页 |
| 第三章 SOI MOS 阈值电压解析模型 | 第16-38页 |
| ·阈值电压模型分类 | 第16页 |
| ·SOI MOS 阈值电压模型发展概述 | 第16-18页 |
| ·FD SOIMOS 阈值电压模型 | 第18-21页 |
| ·FDSOI 表面电势模型 | 第18-20页 |
| ·阈值电压求解 | 第20-21页 |
| ·HALO 结构FD SOIMOS 阈值电压模型 | 第21-37页 |
| ·结构与模型 | 第22-28页 |
| ·模型的验证与讨论 | 第28-31页 |
| ·忽略隐埋层二维效应的阈值电压模型 | 第31-32页 |
| ·隐埋层二维效应对模型的影响 | 第32-37页 |
| ·小结 | 第37-38页 |
| 第四章 新型多栅全耗尽SOI 器件研究 | 第38-54页 |
| ·多栅器件的发展 | 第38-45页 |
| ·双栅的器件 | 第40页 |
| ·平面双栅器件 | 第40页 |
| ·FinFET 器件 | 第40-41页 |
| ·IT-FET(Inverted T channel FET)器件 | 第41-42页 |
| ·三栅器件 | 第42页 |
| ·围栅器件 | 第42-45页 |
| ·多栅器件的栅控能力研究 | 第45-48页 |
| ·新型MG-SOIMOS 结构 | 第48-54页 |
| ·器件结构 | 第48页 |
| ·模拟结果与讨论 | 第48-54页 |
| 第五章 FD-SOIMOS 的未来展望 | 第54-55页 |
| 致谢 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-60页 |
| 附录：作者在攻读硕士学位期间发表的论文 | 第60页 |