| 摘要 | 第1-4页 |
| 英文摘要 | 第4-5页 |
| 术语及定义解释 | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第6-8页 |
| 第二章 MOS晶体管栅氧的可靠性 | 第8-29页 |
| ·MOS栅氧制造工艺概述 | 第8-10页 |
| ·MOS氧化膜中的电荷 | 第10-18页 |
| ·MOS晶体管栅氧击穿机理概述以及寿命推导法则 | 第18-21页 |
| ·经典栅氧的击穿机理 | 第21-28页 |
| ·小结 | 第28-29页 |
| 第三章 深亚微米MOS晶体管栅氧的可靠性测试及其经时击穿行为的机理分析 | 第29-47页 |
| ·常规栅氧化层可靠性评价方法简介 | 第29-36页 |
| ·不同技术代氧化膜的评价 | 第36-46页 |
| ·小结 | 第46-47页 |
| 第四章 深亚微米MOS晶体管栅氧击穿的新物理模型 | 第47-59页 |
| ·吸收系数(σ)模型 | 第47-49页 |
| ·内建电场模型 | 第49-58页 |
| ·小结 | 第58-59页 |
| 第五章 全文总结 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |