| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-21页 |
| ·MOSFET原理 | 第9页 |
| ·多晶硅栅耗尽效应 | 第9-11页 |
| ·高k栅介质 | 第11页 |
| ·多晶硅/High-k费米能级钉扎效应 | 第11-12页 |
| ·多晶硅/高k栅堆垛沟道迁移率降级效应 | 第12-14页 |
| ·金属栅集成方案 | 第14-16页 |
| ·栅后加工集成方案 | 第14-15页 |
| ·栅先加工集成方案 | 第15页 |
| ·全硅化物金属栅集成方案 | 第15-16页 |
| ·Ni全硅化物金属栅 | 第16-19页 |
| ·本论文内容安排 | 第19-21页 |
| 第二章 全硅化物金属栅样品的制备和测试方法 | 第21-29页 |
| ·样品结构的制备 | 第21-24页 |
| ·硅片清洗过程 | 第21页 |
| ·离子束溅射 | 第21-24页 |
| ·样品测试表征方法 | 第24-29页 |
| ·薄层电阻和四探针 | 第24-25页 |
| ·X射线衍射术 | 第25-26页 |
| ·拉曼散射 | 第26-27页 |
| ·高频C-V特性测量线路 | 第27-28页 |
| ·准静态C-V特性测量线路 | 第28-29页 |
| 第三章 MOS电容测量理论和分析 | 第29-40页 |
| ·MOS电容测量模型理论 | 第29-33页 |
| ·电容的二元等效电路模型 | 第29-30页 |
| ·电容的三元等效电路模型 | 第30-32页 |
| ·电容的四元等效电路模型 | 第32-33页 |
| ·Ni/a-Si全硅化物金属栅MOS电容测量 | 第33-36页 |
| ·样品的制备与测试 | 第33-34页 |
| ·结果与讨论 | 第34-36页 |
| ·面积对测量电容的影响 | 第36-39页 |
| ·样品的制备与测试 | 第36页 |
| ·结果与讨论 | 第36-39页 |
| ·本章小结 | 第39-40页 |
| 第四章 预注入多晶硅Ni全硅化物金属栅 | 第40-59页 |
| ·非晶硅上Ni全硅化物金属栅的制备及其功函数的测量 | 第40-44页 |
| ·样品的制备与测试 | 第40-41页 |
| ·结果与讨论 | 第41-44页 |
| ·预注入多晶硅上Ni全硅化物金属栅的制备和表征 | 第44-58页 |
| ·样品的制备与测试 | 第44-45页 |
| ·Ni全硅化物相的识别 | 第45-47页 |
| ·光照高频电容电压测量 | 第47-49页 |
| ·功函数调制和平带电压偏移 | 第49-51页 |
| ·还原性气体退火前后Ni全硅化物栅MOS电容变化 | 第51-54页 |
| ·界面态密度提取方法 | 第54-56页 |
| ·Ni全硅化物栅MOS电容Si/SiO_2界面态密度 | 第56-58页 |
| ·本章小结 | 第58-59页 |
| 第五章 Ni稀土金属合金全硅化物金属栅 | 第59-67页 |
| ·样品的制备与测试 | 第59-60页 |
| ·结果与讨论 | 第60-66页 |
| ·本章小结 | 第66-67页 |
| 第六章 总结 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-76页 |
| 致谢 | 第76-77页 |
| 硕士期间发表的相关论文 | 第77-78页 |