| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 引言 | 第6-15页 |
| ·高压器件的应用 | 第6-7页 |
| ·高压器件的工艺特点 | 第7-9页 |
| ·高压器件面临的问题—PMOS阈值电压波动 | 第9-11页 |
| ·高压器件PMOS阈值电压的测量方法 | 第11-14页 |
| ·本文的主要内容和结构 | 第14-15页 |
| 第二章 阈值电压的离子注入条件对阈值电压的影响 | 第15-28页 |
| ·注入能量对阈值电压稳定性的影响 | 第15-21页 |
| ·实验内容简介 | 第15-19页 |
| ·实验分析 | 第19-21页 |
| ·注入浓度的有效控制对阈值电压稳定性的影响 | 第21-26页 |
| ·在晶圆范围内注入浓度分布和阈值电压值分布的相关性 | 第22-25页 |
| ·注入浓度之离子束流对阈值电压的相关性 | 第25-26页 |
| ·讨论 | 第26页 |
| ·小结 | 第26-28页 |
| 第三章 氧化层工艺对阈值电压的影响 | 第28-33页 |
| ·变换氧化层与离子注入步骤的实验 | 第28-32页 |
| ·实验内容简介 | 第28-30页 |
| ·实验分析 | 第30-32页 |
| ·小结 | 第32-33页 |
| 第四章 快速热退火温度与时间对阈值电压的影响 | 第33-39页 |
| ·快速热退火的温度时间实验 | 第33-37页 |
| ·实验内容简介 | 第33-36页 |
| ·实验分析 | 第36-37页 |
| ·小结 | 第37-39页 |
| 第五章 总结和展望 | 第39-41页 |
| 参考文献 | 第41-43页 |
| 致谢 | 第43-44页 |